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2020年, 第56卷, 第9期 刊出日期:2020-09-11
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SiCf/Ti65复合材料界面反应与基体相变机理
王超, 张旭, 王玉敏, 杨青, 杨丽娜, 张国兴, 吴颖, 孔旭, 杨锐
金属学报. 2020, 56 (9): 1275-1285.
DOI: 10.11900/0412.1961.2020.00027
采用磁控溅射先驱丝法并结合热等静压技术制备了SiCf/Ti65复合材料,对其在650、750、800和900 ℃进行了长时间热暴露实验。结果表明,热等静压和热暴露过程中,SiCf/Ti65复合材料内部各元素同时参与界面互扩散和基体相变扩散。热等静压后,SiCf/Ti65复合材料界面反应层产物主要为TiC,基体中相变产物为等轴的(Zr, Nb)5Si4。热暴露过程中,界面反应逐渐生成了Ti5Si3和(Zr, Nb)5Si4,基体相变则有了Ti3(Al, Sn)C和TiC生成。SiCf /Ti65复合材料反应层长大激活能为93 kJ/mol,该材料界面可以在650 ℃及以下温度长时间保持稳定。
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