|
2000年, 第36卷, 第7期 刊出日期:2000-07-18
|
上一期
下一期 |
|
|
|
球磨Si,C混合粉末合成纳米SiC的高分辨电镜观察
杨晓云; 黄震威
金属学报. 2000, 36 (7): 684-688 .
在室温条件下, 球磨Si, C混合粉末合成纳米尺寸SiC, 采用高分辨电子显微术在原子尺度上详尽地表征了该尖过程, 高分辨像表明, 在球磨过程中首先形成非晶C(a-C)、非晶S(a-Si)以及纳米晶Si(c-Si), 为合成SiC提供了适宜条件. SiC的合成主要是通过C原子向a-Si及c-Si的扩散, 对于前者, 形成非晶a-Si(C), 然后机械力诱使非晶a-Si(C)的晶化, 形成销大尺寸的SiC晶粒.
References |
Related Articles |
Metrics
|
|