球磨Si,C混合粉末合成纳米SiC的高分辨电镜观察

金属学报

2000, Vol. 36

Issue (7): 684-688

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球磨Si,C混合粉末合成纳米SiC的高分辨电镜观察

杨晓云黄震威

中国科学院金属研究所固体原子像开放实验室; 沈阳 110015

引用本文:

杨晓云; 黄震威 . 球磨Si,C混合粉末合成纳米SiC的高分辨电镜观察[J]. 金属学报, 2000, 36(7): 684-688 .

全文: PDF(158 KB)

摘要: 在室温条件下, 球磨Ｓｉ, Ｃ混合粉末合成纳米尺寸ＳｉＣ, 采用高分辨电子显微术在原子尺度上详尽地表征了该尖过程, 高分辨像表明, 在球磨过程中首先形成非晶Ｃ（ａ－Ｃ）、非晶Ｓ（ａ－Ｓｉ）以及纳米晶Ｓｉ（ｃ－Ｓｉ）, 为合成ＳｉＣ提供了适宜条件. ＳｉＣ的合成主要是通过Ｃ原子向ａ－Ｓｉ及ｃ－Ｓｉ的扩散, 对于前者, 形成非晶ａ－Ｓｉ（Ｃ）, 然后机械力诱使非晶ａ－Ｓｉ（Ｃ）的晶化, 形成销大尺寸的ＳｉＣ晶粒.

关键词 ：球磨, 扩散, 非晶晶化

Key words：

收稿日期: 2000-03-21

ZTFLH:

TQ174.758 TF123.31

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