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金属学报  2000, Vol. 36 Issue (7): 735-738     
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N2在Pd中的中温扩散及其对物性的影响
杜黎光 盛玫 罗乐
中国科学院上海冶金研究所-戴姆勒克莱斯勒联合电子封装实验室;上海;200050
引用本文:

杜黎光; 盛玫; 罗乐 . N2在Pd中的中温扩散及其对物性的影响[J]. 金属学报, 2000, 36(7): 735-738 .

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摘要: 用四引线原位电阻法研究了Pd线(直径25 μm)在300℃左右流动N2气氛中退火时N2在Pd丝中的扩散,扩散过程符合一维无限长圆柱的体扩散模型,结果不同于传统认为的Pd在1400℃以下不吸N2的结论.拉伸实验证明,N2的渗入改善了Pd丝的力学性能.
关键词 硅铁熔化自然对流数据模拟    
Key words
收稿日期: 1999-12-28     
ZTFLH:  TF645  
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