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金属学报  1999, Vol. 35 Issue (4): 439-442     
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射频磁控溅射沉积氮化碳薄膜的结构和成键性质
郭建东 李银安 赵汝文 王恩哥
中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室; 北京 100080
引用本文:

郭建东; 李银安; 赵汝文; 王恩哥 . 射频磁控溅射沉积氮化碳薄膜的结构和成键性质[J]. 金属学报, 1999, 35(4): 439-442 .

全文: PDF(304 KB)  
摘要: 利用反应性质频磁控溅射在Si(100)单晶衬底上沉积氮化碳薄膜, 并系统地了薄膜的结构, 成分及化学键等信息. X射线衍射分析表明, 制备的氮化碳薄膜具有非晶结构. 红外吸收谱说明薄膜中碳, 氮原子结构成化学键.
关键词 氮化碳薄膜射频磁控溅射沉积结构    
Key words
收稿日期: 1998-12-01     
ZTFLH:  O484.1  
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