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金属学报  1999, Vol. 35 Issue (4): 443-448     
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柔性基片上In2O3:Sn和ZnO:Al薄膜的制备及其电学和光学特性
陈猛 白雪冬 黄荣芳 闻立时
中国科学院金属研究所; 沈阳 110015
引用本文:

陈猛; 白雪冬; 黄荣芳; 闻立时 . 柔性基片上In2O3:Sn和ZnO:Al薄膜的制备及其电学和光学特性[J]. 金属学报, 1999, 35(4): 443-448 .

全文: PDF(392 KB)  
摘要: 利用直流磁控反应溅射铟锡合金靶和锌合金钯, 在软基片上低温沉积了In2O3:Sn(ITO)和ZnO:Al(ZAO)透明电薄膜. 结果表明, ITO和ZAO薄膜均出现晶格畸变;柔性基片上低温沉积薄膜的电阻率对氧分压的依赖性远低于硅和玻璃衬底;尺度效应对薄膜电阻率有重要的影响.
关键词 柔性基片光学能隙半导体薄膜制备    
Key words
收稿日期: 1998-11-06     
ZTFLH:  TN304.21  
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