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金属学报  2009, Vol. 45 Issue (2): 178-182    
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电迁移作用下SnPb与Ni(P)界面金属间化合物的极性生长
陆裕东1;2;何小琦1;恩云飞1;王歆2;庄志强2
1. 信息产业部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室;广州 510610\par
2. 华南理工大学材料学院特种功能材料教育部重点实验室; 广州 510640
POLARITY GROWTH OF INTERMETALLIC COMPOUND INDUCED BY ELECTROMIGRATION AT THE INTERFACE BETWEEN EUTECTIC SnPb AND Ni(P) FINISHES
LU Yudong 1;2; HE Xiaoqi 1; EN Yunfei 1; WANG Xin 2; ZHUANG Zhiqiang 2
1. National Key Laboratory for Reliability Physics and Application Technology of Electrical Components; the 5th Electronics Research Institute of the Ministry of Information Industry; Guangzhou 510610
2. Key Laboratory of Special Functional Materials; Ministry of Education; College of Materials Science and Engineering; South China University of Technology; Guangzhou 510640
引用本文:

陆裕东 何小琦 恩云飞 王歆 庄志强. 电迁移作用下SnPb与Ni(P)界面金属间化合物的极性生长[J]. 金属学报, 2009, 45(2): 178-182.
, , , , . POLARITY GROWTH OF INTERMETALLIC COMPOUND INDUCED BY ELECTROMIGRATION AT THE INTERFACE BETWEEN EUTECTIC SnPb AND Ni(P) FINISHES[J]. Acta Metall Sin, 2009, 45(2): 178-182.

全文: PDF(13941 KB)  
摘要: 

采用球栅阵列封装 (BGA) 焊点研究共晶SnPb焊点中的电迁移行为, 分析了电迁移作用下SnPb焊点与Ni(P) 镀层界面金属间化 合物 (IMC) 的极性生长
现象, 从原子迁移的角度提出了互连焊点微结构演化的微观机理. 焊点在焊接过程中形成厚度约为2 μm的Ni3Sn4 IMC层, 随后的120 ℃热处理并不会导致界面IMC的明显生长. 而电迁移作用下, 阳极焊点与镀层界面IMC出现异常生长, 同时阴极焊点与镀层界面IMC生长受到抑制, 最终在同一焊点中形成极性生长的现象. 界面IMC的极性生长与电迁移引起的原子通量有关, Sn原子通量方向与电子流方向相同, 而Ni 原子通量方向相反,导致阳极界面IMC的异常生长, 而相同的原子迁移特性导致阴极界面IMC的生长受到抑制.

关键词 SnPb焊点 金属间化合物 电迁移    
Abstract

The polarity growth of intermetallic compound (IMC) at the interface between eutectic SnPb BGA solder joints and Ni(P) finishes was investigated and the mechanism of microstructural evaluation was explained by the migration of atoms in interconnects. Ni3Sn4 IMC layer of 2 μm in thickness was formed during the soldering reaction and the subsequent annealing at 120 ℃ can not induce the visible growth of IMC. The IMC layer shows abnormal growth at the anode interface, while the growth at the cathode interface is restrained. Finally, the upper–side and lower–side interfaces of
the same solder joints show polarity effect on the growth of IMC. The polarity effect is related with the flux of atoms in interconnects. The direction of electron flow is consistent with the flux of Sn atoms, while opposite to the flux of Ni atoms. The flux of atoms induced the abnormal growth of IMC at the
anode interface but restrained the growth at cathode interface.

Key wordsSnPb    solder joint    intermetallic compound    electromigration
收稿日期: 2008-07-16     
ZTFLH: 

TG401

 
基金资助:

信息产业部电子第五研究所科技发展基金项目XF0726130和中国博士后科学基金项目20080430825资助

作者简介: 陆裕东, 男, 1979年生, 博士

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