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La2NiO4.147体系相变的低频内耗 |
张华力 刘卫 苏金瑞 丁锦文 陈初升 |
中国科学技术大学材料科学与工程系内耗与固体缺陷实验室;合肥230026 |
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引用本文:
张华力; 刘卫; 苏金瑞; 丁锦文; 陈初升 . La2NiO4.147体系相变的低频内耗[J]. 金属学报, 2003, 39(11): 1157-1159 .
[1] Hayashi A, Tamura H, Ueda Y. Physica, 1993; 216C: 77 [2] Tranquada J M, Kong Y, Lorenzo J E, Buttrey D J, RiceD E, Sachan V. Phys Rev, 1994;50B: 6340 [3] Tamura H, Hayashi A, Ueda Y. Physica, 1996; 258C: 61 [4] Tamura H, Hayashi A, Ueda Y. Physica, 1993; 216C: 83 [5] Liu W, Ge T S. Physica, 1992; 121C: 196 [6] Wang Y N, Yang Z J, Zhu H, Ma J C. J Nanjing Univ(Nat Sci), 1963; 7: 1(王业宁,杨正举,祝和,马进超.南京大学学报(自然科学版),1963;7:1) [7] Lee W-K , Lew M, Nowick A S. Phys Rev, 1990; 41B: 149 |
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