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金属学报  2003, Vol. 39 Issue (11): 1157-1159     
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La2NiO4.147体系相变的低频内耗
张华力 刘卫 苏金瑞 丁锦文 陈初升
中国科学技术大学材料科学与工程系内耗与固体缺陷实验室;合肥230026
引用本文:

张华力; 刘卫; 苏金瑞; 丁锦文; 陈初升 . La2NiO4.147体系相变的低频内耗[J]. 金属学报, 2003, 39(11): 1157-1159 .

全文: PDF(149 KB)  
摘要: 通过电化学加氧方法获得额外氧含量δ=0.147、结构为Fmmm的La2NiO4+δ样品,低频内耗测量表明,400K温区附近存在一个相变内耗峰,它对应体系从低温正交Fmmm相到高温四方I4/mmm相的转变,模量和内耗的升、降温回滞现象反映此相变为一级相变.变频和改变升温速率内耗实验表明,内耗峰高与测试频率成反比,与升温速率成正比,具有马氏体相转变特征,低δ值的La2NiO4+δ样品无此相变峰,说明此峰应与低温正交Fmmm相中额外氧的三维有序变化相关.
关键词 La2NiO4额外氧低频内耗马氏体相变    
Key words
收稿日期: 2003-07-09     
ZTFLH:  TG113.226  
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