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金属学报  1994, Vol. 30 Issue (18): 270-272    
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Si衬底上Co薄膜氧化观察
张灶利;肖治纲;杜国维
北京科技大学
OBSERVATION OF Co FILM OXIDATION ON Si SUBSTRATE
ZHANG Zaoli; XIAO Zhigang; DU Guowei(University of Science and Technology Beijing)
引用本文:

张灶利;肖治纲;杜国维. Si衬底上Co薄膜氧化观察[J]. 金属学报, 1994, 30(18): 270-272.
, , . OBSERVATION OF Co FILM OXIDATION ON Si SUBSTRATE[J]. Acta Metall Sin, 1994, 30(18): 270-272.

全文: PDF(193 KB)  
摘要: 用透射电子显微镜和X射线衍射方法研究Si衬底上的Co薄膜氧化.发现:在550℃以下,薄膜氧化产物是CoO;在900℃再次进行真空热处理,CoO能转变为硅化物.薄膜氧化,对Co/Si界面硅化物转变有影响.
关键词 薄膜Co-Si化合物氧化    
Abstract:The oxidation of Co film on Si substrate during heat treatment was studied by TEM and XRD. The oxidized product of the film, annealed below 550℃, was found to be CoO, and to change into a silicide after further heating under vacuum at 900℃. The oxidation of the film has an important effect on the Co/Si interface reaction.
Key words film    cobalt-silicide    oxidation
    
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