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金属学报  1994, Vol. 30 Issue (17): 229-232    
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Co对弧光放电离子镀WC-Co膜生长的影响
于力;金柱京;黄燕清;朱天锦;吉川一功
中国科学院金属腐蚀与防护研究所腐蚀科学开放研究实验室;日本东海大学
EFFECT OF Co CONTENT ON GROWTH OF ARC DISCHARGE ION-PLATING WC-Co FILM
YU Li; JIN Zhujing (Corrosion Science laboratory; Institute of Corrosion and Protection of Metals; Chinese Academy of Sciences; Shenyang); HUANG Yanqing; ZHU Tianjin; KICHIKAW A Ichiko (College of Engineering; Tokai University; Japan)
引用本文:

于力;金柱京;黄燕清;朱天锦;吉川一功. Co对弧光放电离子镀WC-Co膜生长的影响[J]. 金属学报, 1994, 30(17): 229-232.
, , , , . EFFECT OF Co CONTENT ON GROWTH OF ARC DISCHARGE ION-PLATING WC-Co FILM[J]. Acta Metall Sin, 1994, 30(17): 229-232.

全文: PDF(304 KB)  
摘要: 利用弧光放电离子镀法获得了难熔超硬WC-Co膜(其中含Co为0,4,15wt-%).随着Co含量的增加,使真空室里等离子态趋于稳定,并使成膜速度增加;其组织结构为Thornton图里的T区,并逐渐由柱状晶组织变成致密的组织结构。
关键词 弧光放电离子镀WC-Co膜难熔金属Co    
Abstract:Super hard refractory intermetallic WC-Co (Co= 0, 4,15 wt-%) films were prepared by arc discharge ion-plating technique. As the Co content increasing, the plasma state in vacuum chamber tends to stable, the deposition rate increases, and the structure will be T-zone in Thornton diagram and changes gradually from columnar grains into dense film.
Key words arc discharge ion-plating    WC-Co film    refractory metal    Co
    
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