CoSi2薄膜二维X射线衍射线形分析与表征

金属学报

2005, Vol. 41

Issue (5): 487-490

论文

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CoSi2薄膜二维X射线衍射线形分析与表征

姜传海程凡雄吴建生

(上海交通大学材料科学与工程学院;高温材料及高温测试教育部重点实验室;上海200030)

引用本文:

姜传海; 程凡雄; 吴建生 . CoSi2薄膜二维X射线衍射线形分析与表征[J]. 金属学报, 2005, 41(5): 487-490 .

全文: PDF(1901 KB)

摘要: 利用二维X射线衍射线形分析方法，分析了CoSi2薄膜材料的二维衍射线形。结果表明，薄膜中不同方位的衍射线形存在明显差异，主要与材料中晶粒尺寸及显微畸变的空间分布有关，其中沿薄膜法线方向上的晶粒尺寸最大，同时该方向的显微畸变最小。

关键词 ： CoSi2, 薄膜材料, 二维X射线衍射

Key words：

收稿日期: 1900-01-01

ZTFLH:

TG115

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