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金属学报  2002, Vol. 38 Issue (7): 731-736     
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原位合成MoSi2-30%SiC复合材料的高温蠕变行为
傅晓伟  杨王玥  张来启  孙祖庆  朱静
北京科技大学新金属材料国家重点实验室;北京100083
引用本文:

傅晓伟; 杨王玥; 张来启; 孙祖庆; 朱静 . 原位合成MoSi2-30%SiC复合材料的高温蠕变行为[J]. 金属学报, 2002, 38(7): 731-736 .

全文: PDF(264 KB)  
摘要: 研究了含30%SiC(体积分数)的热压原位合成MoSi2基复合材料及对比用的商用MoSi2与SiC混粉热压材料在1200-1400℃的压缩蠕变行为.结果表明,在60-120 MPa应力条件下,原位合成复合材料的稳态蠕变速率都可维持在10-7s-1量级或更低的水平.高于1300℃,原位合成材料的稳态蠕变速率明显低于商用混粉材料的主要原因是MoSi2/SiC相界面为纯粹的原子结合,无SiO2非晶相存在.蠕变机制为位错蠕变,MoSi2基体中的位错类型为〈110〉与〈100〉.
关键词 MoSi2/SiC复合材料原位合成蠕变位错    
Key words
收稿日期: 2001-06-28     
ZTFLH:  TB33  
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