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金属学报  2000, Vol. 36 Issue (4): 337-340     
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压痕诱导单晶GaAs非晶相变
李志成 单智伟 吴亚桥 贺连龙 徐永波
中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室;沈阳 110015
引用本文:

李志成; 单智伟; 吴亚桥; 贺连龙; 徐永波 . 压痕诱导单晶GaAs非晶相变[J]. 金属学报, 2000, 36(4): 337-340 .

全文: PDF(267 KB)  
摘要: 利用高分辨电子显微镜观察了(100)GaAs单晶Vickers压痕诱发的形变行为. 结果表明,这种材料在Vickers硬度计载荷的作用下产生许多孪晶和堆垛层错,导致发生晶格扭曲, 最终诱发晶体的非晶转变.
关键词 压痕非晶转变    
Key words
收稿日期: 2000-01-19     
ZTFLH:  TG115.21  
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