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金属学报  2000, Vol. 36 Issue (11): 1187-1191     
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离子注入Cu薄膜的氧化行为研究
赵新清 柳百新
北京航空材料研究院;北京 100095
引用本文:

赵新清; 柳百新 . 离子注入Cu薄膜的氧化行为研究[J]. 金属学报, 2000, 36(11): 1187-1191 .

全文: PDF(162 KB)  
摘要: 研究了用强流金属蒸汽弧离子源(MEVVA源)注入Cr对Cu薄膜的抗氧化性能、导电性能和氧化特征的影响. 利用X射线衍射、Rutherford背散射和扫描电镜 离子注入前后氧化物结构和氧化物形态演变. 结果表明, 在薄膜的表面层注入一定剂量的Cr能有效地改善Cu薄膜的抗氧化性能, 而对薄膜的电导性能无显著影响;离子注入显著影响薄膜表面氧化铜的结构和形态. 探讨了离子注入对氧化铜结构和形态的影响机理.
关键词 Cu薄膜离子注入Cr氧化    
Key words
收稿日期: 2000-04-29     
ZTFLH:  TG174.444  
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