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金属学报  1999, Vol. 35 Issue (3): 289-291     
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压痕诱发单晶Si非晶化相变区的三维空间分布结构
吴亚桥 徐永波
中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室;沈阳 110015
引用本文:

吴亚桥; 徐永波 . 压痕诱发单晶Si非晶化相变区的三维空间分布结构[J]. 金属学报, 1999, 35(3): 289-291 .

全文: PDF(304 KB)  
摘要: 利用航向电子显微术(TEM)观察了单晶Si维氏压痕区的结构转变. 平视和截面像相结合给出了压痕诱导Si非昌化的轮廓图. 其区域为与压头相似的倒四棱锥金字塔形. 但其棱边夹角小于相对应的压头相对棱夹角, 残留的准确无误痕深度很浅.
关键词 非晶化相变压痕空间分布单晶硅    
Key words
收稿日期: 1998-06-02     
ZTFLH:  O613.72  
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