CH_4离子束增强沉积对TiC薄膜显微硬度的影响机制

金属学报

1994, Vol. 30

Issue (19): 318-322

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CH_4离子束增强沉积对TiC薄膜显微硬度的影响机制

刘长洪;李文治;李恒德

清华大学

INFLUENCE OF CH_4 ION BEAM ENHANCED DEPOSITION ON HARDNESS OF TiC FILMS

LIU Changhong;LI Wenzhi;LI Hengde (Tsinghua University; Beijing)

引用本文:

刘长洪;李文治;李恒德. CH_4离子束增强沉积对TiC薄膜显微硬度的影响机制[J]. 金属学报, 1994, 30(19): 318-322.
, , . INFLUENCE OF CH_4 ION BEAM ENHANCED DEPOSITION ON HARDNESS OF TiC FILMS[J]. Acta Metall Sin, 1994, 30(19): 318-322.

全文: PDF(283 KB)

摘要: 研究了双离子束沉积ＴｉＣ薄膜的形成．离子束反应溅射膜的显微硬度比ＣＨ_４高子束增强沉积膜的显微硬度高．ＸＰＳ，ＴＥＭ和ＡＥＳ分析表明后者硬度低的一个重要原因是ＣＨ_４离子束轰击引入过量的自由碳原子．

关键词 ：ＴｉＣ薄膜, 离子束增强沉积, 硬度

Abstract：Synthesis of TiC films was investigated by dual ion beam deposition. Higher Knoop hardness number on the TiC films prepared by CH_4 ion beam enhanced deposition as comparison with that without CH_4 was obtained. The important reason, which showed by XPS, TEM and AES analyses, may be due to the excess C introduced to the TiC films during ion beam bombardment.

Key words： TiC film ion beam enhanced deposition hardness

基金资助:国家自然科学基金;;国家科委八六三项目

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