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金属学报  2001, Vol. 37 Issue (10): 1013-1017     
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吸附促进位错发射、运动以及裂纹扩展的分子动力学模拟
李忠吉  刘辉  高克玮  乔利杰  褚武扬
北京科技大学材料物理系;北京100083
引用本文:

李忠吉; 刘辉; 高克玮; 乔利杰; 褚武扬 . 吸附促进位错发射、运动以及裂纹扩展的分子动力学模拟[J]. 金属学报, 2001, 37(10): 1013-1017 .

全文: PDF(230 KB)  
摘要: 根据反演法获得的对势和EAM多体势计算了纯Al位错发射的临界应力强度因子KIe以及Griffith裂纹解理扩展的临界应力强度因子KIG.结果表明,用对势算出的值和断裂力学计算结果更相近.因此,用对势来研究吸附的影响是可行的分子动力学模拟表明,Ga吸附在裂纹表面将使KIG=0.42 MPa•/ 降至KIG=0.32 MPa•/ m,这表明吸附使表面能γ降至γ*(=0.58γ).Ga吸附使KIe=0.31 MPa•/ 降至KIe=0.24 MPa/ ;Ga吸附使位错运动的临界分切应力从Tc=2.05MPa降至Tc=1.82 MPa.这就表明,Ga吸附后能降低Al的表面能,从而促进位错发射和运动.
关键词 AlGa分子动力学模拟位错发射    
Key words
收稿日期: 2001-05-15     
ZTFLH:  TG111.91  
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