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金属学报  2014, Vol. 50 Issue (2): 231-237    DOI: 10.3724/SP.J.1037.2013.00622
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Cu-Nb复合线材在形变与退火过程中显微结构演变的研究*
邓丽萍1,2, 杨晓芳1, HAN Ke2, 孙泽元1, 刘庆1()
1 重庆大学材料科学与工程学院, 重庆 400044
2 National High Magnetic Field Laboratory, Tallahassee, Florida, USA, 32310
STUDY ON THE MICROSTRUCTURE EVOLUTION OF Cu-Nb COMPOSITE WIRES DURING DEFORMATION AND ANNEALING
DENG Liping1,2, YANG Xiaofang1, HAN Ke2, SUN Zeyuan1, LIU Qing1()
1 School of Materials Science and Engineering, Chongqing University, Chongqing 400044
2 National High Magnetic Field Laboratory, Tallahassee, Florida, USA, 32310
引用本文:

邓丽萍, 杨晓芳, HAN Ke, 孙泽元, 刘庆. Cu-Nb复合线材在形变与退火过程中显微结构演变的研究*[J]. 金属学报, 2014, 50(2): 231-237.
Liping DENG, Xiaofang YANG, Ke HAN, Zeyuan SUN, Qing LIU. STUDY ON THE MICROSTRUCTURE EVOLUTION OF Cu-Nb COMPOSITE WIRES DURING DEFORMATION AND ANNEALING[J]. Acta Metall Sin, 2014, 50(2): 231-237.

全文: PDF(4181 KB)   HTML
摘要: 

采用SEM和TEM, 对不同形变量及退火温度下的Cu-Nb微观复合线材的显微组织结构进行了分析, 并对形变和退火试样进行了硬度测试. 结果表明: 随着形变量增大, 材料界面密度及其增加速率逐渐增大. 当材料结构达到纳米尺寸时(应变=24.8), 界面密度及其增加速率显著增加, 使得硬度及其增加速率明显增大, 同时伴随有纳米Cu基体内部层错和旋转晶界的产生. 退火过程中Cu基体的显微组织变化表现出明显的多尺度效应, 其变化可分为3个阶段: 微米及亚微米Cu基体先发生回复再结晶, 而纳米Cu基体回复再结晶受到抑制; 纳米Cu基体回复再结晶; Nb丝球化及长大.

关键词 Cu-Nb复合线材界面密度层错尺度效应    
Abstract

Microstructure of as-deformed and annealed Cu-Nb composite wires were investigated by SEM and TEM. Hardness of the as-deformed and annealed samples were measured. The results showed that both the interface density and the rate of interface-increasing increased with increasing strain. When the microstructure reached nano-scale (strain=24.8), the interface density showed a sharp increase which induced a rapid increase in hardness, accompanied by formation of stacking faults and rotation grain boundaries in Cu. During the annealing, the size effect impacted the evolution of microstructure of the multi-scale Cu matrix. The evolution can be classified in to three stages with respect to annealing temperatures: recovery and recrystallization of large Cu, while that of the nano Cu were restrained; recovery and recrystallization of nano Cu; spheroidization and coarsening of Nb.

Key wordsCu-Nb composite wire    interface density    stacking fault    size effect
收稿日期: 2013-09-30     
ZTFLH:  TG146.1  
基金资助:*国家自然科学基金项目51031002和51201188, 中丹纳米金属合作项目NSFC-DNRF 51261130091, 重庆市自然科学基金项目2010BB4074, 先进金属及材料国家重点实验室项目2010ZD-02及美国国家科学基金合作项目DMR-0084173资助
作者简介: null

邓丽萍, 女, 1986年生, 博士生

图1  
ε t d
5.0 - 4.5 μm
9.6 147.5 μm 450 μm
14.4 13.7 μm 40 μm
17.7 1.64 μm 3.8 μm
24.8 83.2 nm 215 nm
  
图2  
图3  
图4  
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