金属学报  2006, Vol. 42 Issue (6): 667-672

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恒电流电沉积法制备Cu-In薄膜的研究

李健; 朱洁

北京科技大学新金属材料国家重点实验室; 北京 100083

PREPARATION OF Cu-In FILM BY ELECTRODEPOSITION UNDER CONSTANT CURRENT

Jian Li;Jie Zhu

北京科技大学新金属材料国家重点实验室

李健; 朱洁 . 恒电流电沉积法制备Cu-In薄膜的研究[J]. 金属学报, 2006, 42(6): 667-672 .
, . PREPARATION OF Cu-In FILM BY ELECTRODEPOSITION UNDER CONSTANT CURRENT[J]. Acta Metall Sin, 2006, 42(6): 667-672 .

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(923 KB)   摘要: 以金属Ti为阳极, 不锈钢薄片和镀Mo玻璃为阴极, 采用恒电流电沉积的方法制备了 化学计量比为1∶1、厚度为1 um且致密均匀的Cu-In薄膜. 分析了镀液离子浓 度、电流密度、络合剂含量及添加剂种类对薄膜成分及形貌的影响. 在除电流密度 外其它工艺条件相同的情况下, 采用不同阴极材料为衬底沉积Cu-In薄膜时, 薄膜形 貌、成分无差别, 且电流密度对薄膜的形貌和成分控制起着关键的作用. 此外, 在镀液离子低浓度范围内, 及Cu/In离子浓度比不变的前提下, 镀液中金属离子总浓度的 改变不会影响镀层的成分和形貌; 十二烷基硫酸钠和苯亚磺酸钠可作为理想的辅助 添加剂, 能改善薄膜形貌, 使其表面均匀、规整. 由该方法制备的Cu-In预置膜可以 进一步硒化得到理想的CuInSe 2薄膜. 关键词 ： Cu-In合金膜,  电沉积,  表面形貌      Abstract：Cu-In films with chemical composition ratio of 1∶1 are deposited on stainless steel and Mo-coated glass substrate under constant current with Ti worked as anode. The Cu-In precursor film with the thickness of 1 um is uniform and compact. The influences of deposition parameters such as the electrolyte contents, current density, the type and concentration of complexing agent, $etc.$, on films composition and morphology were studied. Those parameters with the exception of current density are allowed to be same when different kinds of substrates are employed. Current plays an important role in affecting the property of precursor films. If the ratio of Cu 2+ to In 3+ is constant, the total concentration of ions showed inappreciable influence on film morphology. The result shows that lauryl sodium sulfate and sodium benzenesulfinate as ideal additives can make the films more flat and smooth. The Cu-In films prepared by such method provide a good foundation for further selenization process obtaining CuInSe 2 film. Key words： Cu-In alloy film    electrodeposition    surface morphology 收稿日期: 2005-09-20      ZTFLH:  O484.1   服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 李健 朱洁 44.8K 链接本文: https://www.ams.org.cn/CN/      或      https://www.ams.org.cn/CN/Y2006/V42/I6/667 [1] Bekker J, Alberts V, Witcomb M J. Thin Solid Films, 2001; 387: 40 [2] Powalla M, Dimmler B. Solar Energy Mater Solar Cells, 2003; 75: 27 [3] Wada T, Hashimoto Y, Nishiwaki S, Satoh T, Hayashi S, Negami T, Miyake H. Solar Energy Mater Solar Cells, 2001; 67: 305 [4] Yuksel O F, Baso B M, Safak H, Karabiyik H. Appl Phys, 2001; 73A: 387 [5] Kenji Y, Daisuke M, Tetsuo I. Appl Phys Lett, 2000; 77: 259 [6] Hagiwara Y, Nakada T, Kunioka A. Solar Energy Mater Solar Cells, 2001; 67: 267 [7] Wijesundera R P, Siripala W. Solar Energy Mater Solar Cells, 2004; 81: 147 [8] Nakamura S, Yamamoto A. Solar Energy Mater Solar Cells, 2003; 75: 81 [9] Ugarte R, Schrebler R, Cordova R, Dalchiele E A, Gomez H. Thin Solid Films, 1999; 340: 117 [1] 杭弢, 薛琦, 李明. 无模板电沉积金属微纳米阵列材料研究进展[J]. 金属学报, 2022, 58(4): 486-502. [2] 高运明, 何林, 秦庆伟, 李光强. 利用ZrO2 固体电解质研究Na3AlF6-SiO2 熔盐中的电沉积[J]. 金属学报, 2022, 58(10): 1292-1304. [3] 高博文, 王美涵, 闫茂成, 赵洪涛, 魏英华, 雷浩. 2024铝合金表面PEDOT涂层的电化学制备及耐腐蚀性能[J]. 金属学报, 2020, 56(11): 1541-1550. [4] 刘海霞, 陈金豪, 陈杰, 刘光磊. NaCl溶液腐蚀后304不锈钢的射流空蚀特征[J]. 金属学报, 2020, 56(10): 1377-1385. [5] 赵明雨,甄会娟,董志宏,杨秀英,彭晓. 新型耐磨耐高温氧化NiCrAlSiC复合涂层的制备及性能研究[J]. 金属学报, 2019, 55(7): 902-910. [6] 赵婷婷, 康志新, 马夏雨. 一步电沉积法制备超疏水Cu网及其耐腐蚀和油水分离性能[J]. 金属学报, 2018, 54(1): 109-117. [7] 周小卫,欧阳春,乔岩欣,沈以赴. 活性Ti表面电沉积Ni-CeO2复合镀层及其强韧性机理分析[J]. 金属学报, 2017, 53(2): 140-152. [8] 钟晓聪, 蒋良兴, 吕晓军, 赖延清, 李劼, 刘业翔. 氯离子对Pb-Ag-RE合金阳极电化学行为的影响[J]. 金属学报, 2015, 51(3): 378-384. [9] 颜永得, 杨晓南, 张密林, 李星, 王丽, 薛云, 张志俭. 氯化物熔盐体系共电沉积法制备Al-Li-Gd合金的研究*[J]. 金属学报, 2014, 50(8): 989-994. [10] 单海权, 张跃飞, 毛圣成, 张泽. 电沉积纳米孪晶Ni中五次孪晶的电子显微分析*[J]. 金属学报, 2014, 50(3): 305-312. [11] 李绪亮,张迎春,江凡,王莉莉,刘艳红,孙宁波. 电流密度对V-4Cr-4Ti合金基体上电沉积W涂层显微结构的影响[J]. 金属学报, 2013, 49(6): 745-750. [12] 龙琼,钟云波,李甫,刘春梅,周俊峰,范丽君,李明杰. 稳恒磁场对Fe-Si复合电镀层形貌及Si含量的影响[J]. 金属学报, 2013, 49(10): 1201-1210. [13] 刘洋,向伟,王博宇. 脉冲离子束辐照对TiH2膜表面微观结构的影响[J]. 金属学报, 2013, 49(10): 1269-1274. [14] 周小卫 沈以赴 顾冬冬. 双脉冲电沉积纳米晶Ni-CeO2复合镀层的微观结构及其高温抗氧化性能[J]. 金属学报, 2012, 48(8): 957-964. [15] 成宇浩 张跃飞 毛圣成 韩晓东 张泽. 温度对电沉积纳米孪晶Ni显微结构及纳米压痕力学性能的影响[J]. 金属学报, 2012, 48(11): 1342-1348. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed