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金属学报  2005, Vol. 41 Issue (2): 173-177     
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单晶硅压痕裂纹的氢致滞后扩展
赵显武 宿彦京 高克玮 乔利杰 褚武扬 许 颖
(北京科技大学材料物理系; 北京 100083)
引用本文:

赵显武; 宿彦京; 高克玮; 乔利杰; 褚武扬; 许颖 . 单晶硅压痕裂纹的氢致滞后扩展[J]. 金属学报, 2005, 41(2): 173-177 .

全文: PDF(234 KB)  
摘要: 利用压痕裂纹恒载荷试样, 研究了单晶硅在空气中应力腐蚀以及动态 充氢时氢致滞后开裂的可能性; 利用卸载的压痕裂纹试样研究了残余应力引起 氢致滞后开裂的可能性. 结果表明, 单晶硅压痕裂纹恒载荷试样当 $K_\rm I=$K_\rm IC时在空气中并不发生应力腐蚀. 在 H$_2SO$_4溶液中动态充氢, 则能发生氢致滞后开裂, 止裂时 归一化门槛应力强度因子为$K_\rm IH/K_\rm IC$\approx$0.9. 卸载压痕 裂纹的残余应力在充氢过程中也能引起氢致滞后开裂, 归一化门槛应力强度因子 为$K_\rm IH/K_\rm IC$\approx$0.9.
关键词 单晶硅应力腐蚀氢致开裂压痕裂纹    
Key words
收稿日期: 2004-03-26     
ZTFLH:  TG113.2  
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