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金属学报  2003, Vol. 39 Issue (1): 13-16     
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电子束诱导非晶GaAs晶化的形核与长大
李志成;刘路;贺连龙;徐永波
中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室; 沈阳 110016
Electron-Beam Induced Nucleation and Growth in Amorphous GaAs
LI Zhicheng; LIU Lu; HE Lianlong; XU Yongbo
Shenyang National Laboratory for Materials Science; Institute of Metal Research; The Chinese Academy of Sciences; Shenyang 110016
引用本文:

李志成; 刘路; 贺连龙; 徐永波 . 电子束诱导非晶GaAs晶化的形核与长大[J]. 金属学报, 2003, 39(1): 13-16 .
, , , . Electron-Beam Induced Nucleation and Growth in Amorphous GaAs[J]. Acta Metall Sin, 2003, 39(1): 13-16 .

全文: PDF(176 KB)  
摘要: 利用高分辨电子显微镜对电子束辐照诱发非晶GaAs晶化过程现象进行了原位观察. 结果表明, 具有几个原子大小的原子簇在辐照初期产生, 并作为晶化的核心在随后的辐照过程中不断长大; 大部分结晶晶粒保持相同的晶体取向, 其余少量不同取向的晶粒也与前者保持孪晶关系. 电子束辐照诱发非晶GaAs晶化的速率与电子束流密度有关; 电子速辐照非晶GaAs结晶不是电子束诱发材料湿度升高的结果, 而与电子能量有关. 本文对辐照晶化的机制和结晶过程进行了讨论.
关键词 非晶GaAs电子束辐照结晶    
Key words
收稿日期: 2002-03-28     
ZTFLH:  TB383  
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