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金属学报  1988, Vol. 24 Issue (1): 1-5    
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Cu-Bi合金偏析的原子模拟 Ⅰ.饱和偏析
王桂金;V.VITEK
冶金工业部钢铁研究总院6室;高级工程师;北京西直门外;美国宾夕法尼亚大学
ATOMISTIC SIMULATION OF SEGREGATION IN Cu-Bi SYSTEM L SATURATED SEGREGATION
WANG Guijin Senior engineer;Central Iron and Steel Reseorch Institute;Ministry of Metatturgicol Industry;Beijing;V. VITEK Central Iron and Steel Research Institute; Ministry of Metallurgical Industry; Beijing; University of Pennsylvania; USA
引用本文:

王桂金;V.VITEK. Cu-Bi合金偏析的原子模拟 Ⅰ.饱和偏析[J]. 金属学报, 1988, 24(1): 1-5.
, . ATOMISTIC SIMULATION OF SEGREGATION IN Cu-Bi SYSTEM L SATURATED SEGREGATION[J]. Acta Metall Sin, 1988, 24(1): 1-5.

全文: PDF(432 KB)  
摘要: 本文研究了不同含量的Bi偏析于Cu的∑=5B(210)/〔001〕对称倾转晶界的原子结构.本文发现最重要的结构效应,是不同原子位置的偏析能的强烈不均匀性,以及在晶界区形成二维有序合金结构.并发现1.25单层是饱和偏析浓度.
关键词 偏析原子模拟Cu-Bi合金    
Abstract:Atomic structure of the ∑=5B(210)/[001] symmetrical tilt bound-ary in Cu containing different amount of segregated Bi has been investigated. Themost important structural effects found in this study are strong anisotropy of thesegregation energy for different sites and formation of an ordered alloy structurein the region of the grain boundary. A saturation level of 1.25 monolayers beyondwhich no further segregation can occur, was found.
Key wordssegregation    atomistic simulation    Cu-Bi alloy
收稿日期: 1988-01-18     
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