Please wait a minute...
金属学报  1989, Vol. 25 Issue (2): 89-94    
  论文 本期目录 | 过刊浏览 |
CVD反应器传输过程的三维数学模型
贺友多;Y.SAHAI
包头市包头钢铁学院冶金系;教授;内蒙古;美国俄亥俄州立大学
THREE-DIMENSIONAL MATHEMATICAL MODELING OF TRANSPORT PROCESSES IN CVD REACTORS
HE Youduo;Y. SAHAI Baotou Institute of Iron and Steel Technology The Ohio State University; USA
引用本文:

贺友多;Y.SAHAI. CVD反应器传输过程的三维数学模型[J]. 金属学报, 1989, 25(2): 89-94.
, . THREE-DIMENSIONAL MATHEMATICAL MODELING OF TRANSPORT PROCESSES IN CVD REACTORS[J]. Acta Metall Sin, 1989, 25(2): 89-94.

全文: PDF(510 KB)  
摘要: 提出了一个同时表示CVD过程的气体流动、温度分布和物质传输的三维数学模型。应用这个模型预报了在含有SiCl_4的氢气流中沉积出Si的锥台式反应器中的速度场、温度场和浓度场。所得的结果有助于增进对这类反应器中的传输过程的认识,模型亦可用于设计参数的最优化,诸如入口流量,锥台倾角等。
关键词 CVD反应器速度场温度场浓度场硅的沉积速率    
Abstract:A mathematical model to represent the fluid flow, temperature distri-bution and mass transfer in CVD reactors has been developed. The model is usedto predict the velocity, temperature, and molar concentration profiles in the taper-ed annulus of a reactor for silicon deposition from SiCl_4 in H_2. Results of theinvestigation contribute to the understanding of the transport processes involved insuch a system. The model can also be used for optimizing the design parameters,such as inlet flow rate, susceptor tilt angle, etc.
Key wordsreactor of chemical vapor deposition    velocity field    temperature field    rate of Si deposition
收稿日期: 1989-02-18     
1 Eversteijn F C, Severin P J W, Van Den Brekel C H J, Peek H L. J Electrochem Soc, 1970; 117: 925
2 Eversteijn F C, Peek H L. Philips Res Rep, 1970; 25: 472
3 Ban V S, Gilbert S L. J Cryst Growth, 1975; 31: 284
4 Ban V S. J Cryst Growth, 1978; 45: 97
5 Rundle P C. Int J Electron, 1968; 24: 405
6 Rundle P C. J Cryst Growth, 1971; 11: 6
7 Takahashi R, Koga Y, Sugawara K. J Electrochem Soc, 1972; 119: 1406
8 Fujii E, Nakamura H, Hariuma K, Koga Y. J Electrochem Soc, 1972; 119: 1106
9 Manke C W, Donaghey L F. J Electrochem Soc, 1977; 124: 561
10 Manke C W, Donaghey L F. Proc 6th Int Conf on Chemical Vapor Deposition, Princeton: The Electrochemical Society, 1977: 151
11 Juza J, Cermak J. J Electrochem Soc, 1982; 129: 1627
12 Curtis R J, Dismukes J P. Proc 4th Int Conf on Chemical Vapor Deposition, Princeton: The Electrochemical Society, 1973: 218
13 Sparrow E M, Eichorn R. Gregg J L. Phys Fluids, 1959; 2: 319
14 Ban V S. J Electrochem Soc, 1978; 125: 317
15 Hanzawa T, Sakanchi K, Sato K, Tadaki T. J Chem Eng Jpn, 1977; 10: 313
16 Shaw D W. In: Gordon C H L ed, Crystal Growth: Theory and Techniques, Vol. Ⅰ, London-New York: Plenum Press, 1974
17 Sirtl E, Hunt L P, Sawyer D H. J Electrochem Soc, 1974; 127: 17
18 Gosman A D, Launder B E. TEACH-2E. Internal Report, Mech Eng Dept, Imperial College, University of London, 1976
19 Youduo HE (贺友多), Sahai Y. Metall Trans, 1987; 18B: 81
[1] 唐海燕, 李小松, 张硕, 张家泉. 基于恒过热控制的感应加热中间包内钢水的流动与传热[J]. 金属学报, 2020, 56(12): 1629-1642.
[2] 刘新华, 付华栋, 何兴群, 付新彤, 江燕青, 谢建新. Cu-Al复合材料连铸直接成形数值模拟研究[J]. 金属学报, 2018, 54(3): 470-484.
[3] 种晓宇, 汪广驰, 杜军, 蒋业华, 冯晶. ZTAp/HCCI复合材料凝固过程中的温度场和热应力的数值模拟[J]. 金属学报, 2018, 54(2): 314-324.
[4] 陈亚东, 郑运荣, 冯强. 基于微观组织演变的DZ125定向凝固高压涡轮叶片服役温度场的评估方法研究*[J]. 金属学报, 2016, 52(12): 1545-1556.
[5] 张军,郑成武,李殿中. 相场法模拟Fe-C合金中奥氏体-铁素体等温相变过程*[J]. 金属学报, 2016, 52(11): 1449-1458.
[6] 薛鹏, 张星星, 吴利辉, 马宗义. 搅拌摩擦焊接与加工研究进展*[J]. 金属学报, 2016, 52(10): 1222-1238.
[7] 赵博,武传松,贾传宝,袁新. 水下湿法FCAW焊缝成形的数值分析[J]. 金属学报, 2013, 49(7): 797-803.
[8] 徐庆东,林鑫,宋梦华,杨海欧,黄卫东. 激光成形修复2Cr13不锈钢热影响区的组织研究[J]. 金属学报, 2013, 49(5): 605-613.
[9] 王松伟,王晓东,倪明玖,张新德,王增辉,那贤昭. 模式螺旋磁场驱动金属液流动的研究[J]. 金属学报, 2013, 49(5): 544-552.
[10] 庞瑞朋,王福明,张国庆,李长荣. 基于3D-CAFE法对430铁素体不锈钢凝固热参数的研究[J]. 金属学报, 2013, 49(10): 1234-1242.
[11] 柯常波,曹姗姗,马骁,黄平,张新平. NiTi形状记忆合金中Ni4Ti3共格沉淀相自催化生长效应的相场模拟[J]. 金属学报, 2013, 49(1): 115-122.
[12] 魏洁 董俊华 柯伟. 热轧螺纹钢化学剂冷却过程温度场的数值模拟及实验研究[J]. 金属学报, 2012, 48(1): 115-121.
[13] 冯明杰 王恩刚 赫冀成. 高速钢复合轧辊连铸复合过程温度场的数值模拟 I. 石墨铸型法[J]. 金属学报, 2011, 47(12): 1495-1502.
[14] 冯明杰 王恩刚 赫冀成. 高速钢复合轧辊连铸复合过程温度场的数值模拟 II. 铜结晶器法[J]. 金属学报, 2011, 47(12): 1503-1512.
[15] 于海岐 朱苗勇. 圆坯结晶器电磁搅拌过程三维流场与温度场数值模拟[J]. 金属学报, 2008, 44(12): 1465-1473.