纳米材料的晶格畸变与反常过剩电阻

金属学报

1996, Vol. 32

Issue (10): 1093-1096

论文

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纳米材料的晶格畸变与反常过剩电阻

秦荣山;周本濂

中国科学院金属研究所;中国科学院国际材料物理中心

LATTICE DILATION AND ANOMALOUS EXCESS RESISTANCE IN NANOCRYSTALLINE MATERIALS

QIN Rongshan;ZHOU Benlian(Institute of Metal Research;Chinese Academy of Sciences;Shenyang 110015)(International Center for Materials Physics;Chinese Academy of Sciences;Shenyang 110015)(Institute of Metal Research;Chinese Academy;of Sciences; Shenyang 110015)(Manuscript received 1995-12-08)

引用本文:

秦荣山;周本濂. 纳米材料的晶格畸变与反常过剩电阻[J]. 金属学报, 1996, 32(10): 1093-1096.
, . LATTICE DILATION AND ANOMALOUS EXCESS RESISTANCE IN NANOCRYSTALLINE MATERIALS[J]. Acta Metall Sin, 1996, 32(10): 1093-1096.

全文: PDF(250 KB)

摘要: 利用Ｌａｎｄａｕｅｒ理论研究了纳米材料晶体部分的晶格畸变对材料电阻率的贡献．推导出Ｌａｎｄａｕｅｒ电阻率与晶格膨胀率的关系．数值计算表明，纳米金属材料的电阻率随晶格膨胀率的增加而非线性升高．

关键词 ：纳米晶, 晶格畸变, Ｌａｎｄａｕｅｒ电阻

Abstract：The contribution of dilated lattice constant of nanocrystal to the resistivity is investigated by using the Landauer formula.The relationship between Landauer resistivity and crystal dilation is given.Numerical calculation shows that the resistivity is increasing nonlinearly as the dilation growing.

Key words： nanocrystal lattice distortion Landauer resistivity.

收稿日期: 1996-10-18

基金资助:国家自然科学基金

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