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金属学报  1990, Vol. 26 Issue (6): 137-144    
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SiC晶须显微结构的研究
徐海钢;朱静;苑洪;宁小光;叶恒强
冶金工业部钢铁研究总院13室;助理工程师;冶金工业部钢铁研究总院;冶金工业部钢铁研究总院;中国科学院金属研究所固体原子象实验室;中国科学院金属研究所固体原子象实验室
MICROSTRUCTURE OF SILICON CARBIDE WHISKER
XU Haigang;ZHU Jing;YUAN Hong;NING Xiaoguang;YE Hengqiang Central Iron and Steel Research Institute; Ministry of Metallurgical Industry; Beijing; Laboratory of Atomic Imaging of Solids; Institute of Metal Research; Academia Sinica; Shenyang
引用本文:

徐海钢;朱静;苑洪;宁小光;叶恒强. SiC晶须显微结构的研究[J]. 金属学报, 1990, 26(6): 137-144.
, , , , . MICROSTRUCTURE OF SILICON CARBIDE WHISKER[J]. Acta Metall Sin, 1990, 26(6): 137-144.

全文: PDF(2537 KB)  
摘要: 用透射电子显微术、表面化学分析等技术对两种SiC晶须的形态、内部缺陷、表面化学成分及其与晶须生长机制之间的联系进行了研究。在此基础上,提出了单晶百分比;直径与长度;内部与表面成分;缺陷类型及分布;生长结晶学特征等五个方面作为表征晶须显微结构的判据。
关键词 碳化硅晶须显微结构缺陷    
Abstract:The morphology, crystal defects and chemical compositions of surfacesin two kinds of SiC whiskers related to their growth mechanism have been studiedby means of electron microscopy and surface chemical analysis. Based upon the expe-rimental results, five criteria for evaluating the whisker microstructure were sugge-sted as: proportion of the perfect single crystals, morphology and dimensions, defectsand their distribution, the bulk and surface chemistries, and crystallographic charac-ters.
Key wordsSiC    whisker    microstructure    defect
收稿日期: 1990-06-18     
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