|
1965年, 第8卷, 第2期 刊出日期:1965-02-18
|
上一期
下一期 |
|
|
|
某些Ⅲ,Ⅴ族元素在锗、硅中的相互作用
刘振元
金属学报. 1965, 8 (2): 165-176.
研究了以锗、硅为基的固溶体中,铝、锑、磷的行为。在分析Ce-Al-Sb,Ge-Al-P,Si-Al-P系统时,发现在假二元Ge-AlSb,Ge-AlP,Si-AlP截面上,上述元素有最大的共同溶解度。 在研究锗、硅固溶体中,掺杂元素组分与微硬度、电阻率的关系时,获得的结果是在相应上述假二元截面上,出现最小值和最大值。而温差电动势则在该截面改变符号。在Si-Al-Sb系中,微硬度的最小值,电阻率的最大值都不很明显。 从试验结果,可以认为Ge-Al-Sb,Ge-Al-P,Si-Al-P系,铝、锑和铝、磷在锗、硅固溶体中相互作用。在一定程度上组成了锑化铝、磷化铝。而Si-Al-Sb系,则是由于AlSb在硅溶液中有离解作用,因而具有另外的特性。
References |
Related Articles |
Metrics
|
|
二元系中杂质元素分布系数和相平衡图间的经验关系
王渭源
金属学报. 1965, 8 (2): 177-186.
在Ge或Si和杂质元素组成的二元系中,及Au-Bi,Au-Tl,Ag-Bi,Ag-Pb,Ag-Tl(后一元素表示杂质)中,发现杂质元素分布系数K_B的对数和液相线上组分A的开方浓度。x_(A,L)~(1/2)间有直线关系。据此外推求得的Ge或Si(IV族)中熔点下分布系数K_B~o和实验结果相当符合,也求得了Au,Ag,Cu(Ⅰ族),Mg(Ⅱ族),Al(Ⅲ族)中某些杂质的K_B~o。在这些系统中,发现如Fischler在Ge或Si中所指出的那样,K_B~o和杂质元素的最大固溶度之间也有简单的经验关系。
References |
Related Articles |
Metrics
|
|
钼的中温氧化
李薰;郑逸蘋;银耀德
金属学报. 1965, 8 (2): 221-283.
研究了1—76毫米汞柱氧压和350—500℃温度范围内钼的氧化过程。结果表明,钼的氧化是首先在表面生成MoO_2,MoO_2生长到某种厚度以后才出现MoO_3,这种厚度与温度和氧压有关。 MoO_2的生长服从抛物线规律。MoO_3的出现虽使钼的氧化速率略为增大,但并不意味着MoO_2停止了生长。在MoO_3与MoO_2同时生长的情况下,钼的氧化仍然遵从抛物线规律。 氧化后表面的MoO_3晶粒随氧化时间的延长而变大,长大到一定程度的晶粒往往容易从表面脱落,困而是氧化层出现疏松的象征。这种疏松可能使钼的氧化偏离抛物线开始向直线规律过渡。 在450℃1—76毫米汞柱氧压范围内,钼的氧化速率与氧压的2/3次方成正比,即K∝P_(O_2)~(2/3)。因此有理由认为,在上述条件下表面吸附层中的氧分子浓度对钼的氧化速率起着控制作用。
References |
Related Articles |
Metrics
|
|