金属学报  1965, Vol. 8 Issue (2): 165-176

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某些Ⅲ,Ⅴ族元素在锗、硅中的相互作用

刘振元

中国科学院冶金研究所

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ НЕКОТОРЫХ ЭЛЕМЕНТОВ Ⅲ-Й И Ⅴ-Й ГРУППЫ ПЕРИОДИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ В ГЕРМАНИИ И КРЕМНИИ

Лю Чжзнь-юань Инстuтyт металлyp?uu АН КНР

刘振元. 某些Ⅲ,Ⅴ族元素在锗、硅中的相互作用[J]. 金属学报, 1965, 8(2): 165-176.
. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ НЕКОТОРЫХ ЭЛЕМЕНТОВ Ⅲ-Й И Ⅴ-Й ГРУППЫ ПЕРИОДИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ В ГЕРМАНИИ И КРЕМНИИ[J]. Acta Metall Sin, 1965, 8(2): 165-176.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(815 KB)   摘要: 研究了以锗、硅为基的固溶体中,铝、锑、磷的行为。在分析Ce-Al-Sb,Ge-Al-P,Si-Al-P系统时,发现在假二元Ge-AlSb,Ge-AlP,Si-AlP截面上,上述元素有最大的共同溶解度。 在研究锗、硅固溶体中,掺杂元素组分与微硬度、电阻率的关系时,获得的结果是在相应上述假二元截面上,出现最小值和最大值。而温差电动势则在该截面改变符号。在Si-Al-Sb系中,微硬度的最小值,电阻率的最大值都不很明显。 从试验结果,可以认为Ge-Al-Sb,Ge-Al-P,Si-Al-P系,铝、锑和铝、磷在锗、硅固溶体中相互作用。在一定程度上组成了锑化铝、磷化铝。而Si-Al-Sb系,则是由于AlSb在硅溶液中有离解作用,因而具有另外的特性。 Abstract：~~ 收稿日期: 1965-02-18      服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 刘振元 44.8K 链接本文: https://www.ams.org.cn/CN/      或      https://www.ams.org.cn/CN/Y1965/V8/I2/165 [1] Reiss, H., Fuller, C. S.: Bell System Tech. J.: 1956, 35, 535． [2] #12 [3] #12 [4] #12 [5] #12 [6] #12 [7] McCaldin, J. O.: J. Appl. Phys, 1960 31, 89． [8] Miller, M.: Bull. Am. Phys. Soc., 1958, B3, 102, C9． [9] Fuller, C. S., Doleidon, F. H.: J. Appl. Phys., 1958, 29, 1264． [10] #12 [11] Valenta, M. W.: Bull. Am. Phys. Soc., 1958, B3, 102, C8． [12] Valenta, M. W., Ramasastry, C.: Phys. Rev, 1957, 106, 73． [13] #12 [14] Fuller, C. S.: Record Chem. Progr., 1956, 17, 2, 75． [15] Reiss, H.: J. Chem. Phys., 1953, 21, 1209． [16] Reiss, H., Fuller, C. S.: J. Phys. Chem. Solids 1958, 4, (1/2) , 58． [17] Reiss, H., Fuller, C. S.: Phys. Rev., 1955, 97, 559． [18] Reiss, H., Fuller, C. S., Pietruszkiewiez, C. S.: J. Chem. Phys., 1956, 25, 650． [19] Reiss, H., Fuller, C. S.: J. Chem. Phys., 1957, 27, 318． [20] #12 [21] Hilsum, C., Rose-innes, A. C.: Semiconducting Ⅲ--Ⅴ Compounds, (Pergamon, 1961) . [22] #12 [23] #12 [24] #12f No related articles found! Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed