金属学报  2003, Vol. 39 Issue (5): 510-515

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偏压对电弧离子镀薄膜表面形貌的影响机理

黄美东 林国强 董闯

大连理工大学三束实验室 116024

黄美东; 林国强; 董闯 . 偏压对电弧离子镀薄膜表面形貌的影响机理[J]. 金属学报, 2003, 39(5): 510-515 .

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(200 KB)   摘要: 在不同偏压下用电弧离子镀沉积TiM薄膜，采用扫描电子显微镜（SEM）观察薄膜表面大颗粒污染情况，并分析偏压对大颗粒的影响。结果表明，偏压对大颗粒的影响主要来自电场的排斥作用。直流偏压下，等离子体鞘层基本稳定，电子对大颗粒表面充电能力很弱，而脉冲偏压下，由于鞘层厚度不断变化，大颗粒不断进出于鞘层，电子对大颗粒表面的充电能力强，使其所带负电荷明显增多，受到基体的排斥力变大，大颗粒不易沉积到基体而使薄膜形貌得到有效改善。 关键词 ： 偏压,  电弧离子镀,  Tin,  薄膜     Key words： 收稿日期: 2002-07-01      ZTFLH:  TB43   服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 黄美东 林国强 董闯 44.8K 链接本文: https://www.ams.org.cn/CN/Y2003/V39/I5/510 [1] Boxman R L, Goldsmith S. Surf Coat Technol, 1992; 52: 39 [2] Hovsepian R, Popov D. Vacuum, 1994; 45: 603 [3] Koshi K, Holsa J, Juliet P. Surf Coat Technol, 1999; 115: 163 [4] Olbrich W, Fessmann J, Kampschulte G, Ebberink J. Surf Coat Technol, 1991; 49: 258 [5] Fessmann J, Olbrich W, Kampschulte G, Ebberink J. Mater Sci Eng, 1991; A140: 830 [6] Li Z Y, Zhu W B, Zhang Y, Li G Y, Cao E Y. Surf Coat Technol, 2000; 131: 158 [7] Zeng P, Hu Z J, Xie G R, Huang N C, Wu Q B. Trans Mater Heat Treatm, 2001; 22: 62(曾鹏,胡社军,谢光荣,黄拿灿,吴起白.材料热处理学报,2001;22:62) [8] Huang M D, Sun C, Dong C, Huang R F, Wen L S. Vacuum, 2001; (3) : 36(黄美东,孙超,董闯,黄荣芳,闻立时.真空,2001;(3) :36) [9] Tai C N, Koh E S, Akari K. Surf Coat Technol, 1990; 43/44: 324 [10] Auciello O, Kelly R. Modification of Materials 1-Ion Bombardment Modification of Surfaces: Fundamentals and Applications. Amsterdam: Elservier Science Publishers, 1984: 56 [11] Cheng Z Y, Wang M, Zou J Y. Surf Coat Technol, 1997; 92: 50 [12] Selwyn G S, Singh J, Bennett R S. J Vac Sci Technol, 1989; A7: 2758 [13] Wu J J, Miller R J. J Appl Thys, 1990; 67: 1051 [14] Nowlin R N, Carlile R N. J Vac Sci Technol, 1991; 9A: 2825 [15] Melzer A, Trottenbery T, Piel A. Phys Lett, 1994; 191A: 301 [16] Boxman R L, Goldsmith S S. J Appl Phys, 1981; 52: 151 [17] Alfred G. Cold Plasma in Materials Fabrication-from Fundamentals to Applications. New York: IEEE Press, 1993: 12 [18] Nitter T. Plasm Soure Sci Technol, 1996; 5: 93 [19] Melands F, Nitter T, Aslaksen T K, Havnes O. J Vac Sci Technol, 1996; 14A: 619 [20] Nitter T, Aslaksen T K, Melands F, Havnes O. IEEE Trans Plasm Sci, 1994; 22: 159 [1] 任师浩, 刘永利, 孟凡顺, 祁阳. 应变工程中Bi(111)薄膜的半导体-半金属转变及其机理[J]. 金属学报, 2022, 58(7): 911-920. [2] 邱龙时, 赵婧, 潘晓龙, 田丰. 高速钢表面TiN薄膜的界面疲劳剥落行为[J]. 金属学报, 2021, 57(8): 1039-1047. [3] 王文权, 王苏煜, 陈飞, 张新戈, 徐宇欣. 选区激光熔化成形TiN/Inconel 718复合材料的组织和力学性能[J]. 金属学报, 2021, 57(8): 1017-1026. [4] 刘冠熙, 黄光宏, 罗学昆, 申造宇, 何利民, 李建平, 牟仁德. 表面喷丸处理对NiCrAlYSi涂层恒温氧化行为的影响[J]. 金属学报, 2021, 57(5): 684-692. [5] 曹庆平, 吕林波, 王晓东, 蒋建中. 物理气相沉积制备金属玻璃薄膜及其力学性能的样品尺寸效应[J]. 金属学报, 2021, 57(4): 473-490. [6] 吴翔,左秀荣,赵威威,王中洋. NM500耐磨钢拉伸过程中TiN的破碎机制[J]. 金属学报, 2020, 56(2): 129-136. [7] 郑晓航, 宁睿, 段佳彤, 蔡伟. Ti70-xTa15Zr15Fex (x=0.3、0.6、1.0)形状记忆合金薄膜的马氏体相变与阻尼行为[J]. 金属学报, 2020, 56(12): 1690-1696. [8] 李长记,邹敏杰,张磊,王元明,王甦程. 外延膜的高分辨X射线衍射分析[J]. 金属学报, 2020, 56(1): 99-111. [9] 吴厚朴,田修波,张新宇,巩春志. 双脉冲HiPIMS放电特性及CrN薄膜高速率沉积[J]. 金属学报, 2019, 55(3): 299-307. [10] 何东昱,刘玉欣. 0.8PbTiO3-0.2Bi(Mg0.5Ti0.5)O3铁电薄膜90°分步畴转与温度效应[J]. 金属学报, 2019, 55(3): 325-331. [11] 牛建钢, 肖伟. TiNi合金B2奥氏体中Ti位Ni诱导的晶格失稳[J]. 金属学报, 2019, 55(2): 267-273. [12] 宋贵宏,李贵鹏,刘倩男,杜昊,胡方. 溅射沉积Mg2(Sn, Si)薄膜组织结构与导电性能[J]. 金属学报, 2019, 55(11): 1469-1476. [13] 何贤美, 童六牛, 高成, 王毅超. Nd含量对磁控溅射Si(111)/Cr/Nd-Co/Cr薄膜结构与磁性的影响[J]. 金属学报, 2019, 55(10): 1349-1358. [14] 马晓琴, 詹清峰, 李金财, 刘青芳, 王保敏, 李润伟. 倾斜溅射对CoFeB薄膜条纹磁畴结构与磁各向异性的影响[J]. 金属学报, 2018, 54(9): 1281-1288. [15] 董彩虹, 刘永利, 祁阳. 厚度对Bi薄膜表面特性和电学性质的影响[J]. 金属学报, 2018, 54(6): 935-942. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed