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金属学报  1989, Vol. 25 Issue (6): 143-145    
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无压烧结Si_3N_4与表面镀钛膜之间的固态化学反应过程
冼爱平;斯重遥
中国科学院金属研究所;研究实习员;沈阳(110015);中国科学院金属研究所
SOLID REACTION BETWEEN PRESSLESS SINTERED Si_3 N_4 SUBSTRATE AND Ti-DEPOSITED FILM
XIAN Aiping;SI Zhongyao Institute of Metal Research; Academia Sinica; Shenyang XIAN Aiping; Institute of Metal Research; Aeadxmiav Sinica; ShenYang 110015
引用本文:

冼爱平;斯重遥. 无压烧结Si_3N_4与表面镀钛膜之间的固态化学反应过程[J]. 金属学报, 1989, 25(6): 143-145.
, . SOLID REACTION BETWEEN PRESSLESS SINTERED Si_3 N_4 SUBSTRATE AND Ti-DEPOSITED FILM[J]. Acta Metall Sin, 1989, 25(6): 143-145.

全文: PDF(301 KB)  
摘要: 用X射线衍射技术研究了在Si_3N_4陶瓷与表面镀钛膜之间的固态化学反应过程,当反应温度不超过973K时,Ti与Si_3N_4之间不反应;温度在1073—1123K时,反应产物为Ti_2N和Ti_5Si_3,温度达到1173K时,反应产物为TiN和Ti_5Si_4,温度达到1273K时,反应产物为TiN和Ti_5Si_4。在整个反应过程中,Si_3N_4陶瓷基体相的晶格常数未发生变化,说明Ti原子不能溶入Si_3N_4陶瓷的晶格之中。
关键词 氮化硅界面固态反应    
Abstract:The chemical reaction as solid state between pressless sintered Si_3N_4 substrate andTi-deposited film has been studied by X-ray diffraction analysis. The reaction all depends up-on temperature. It seems no reaction below 973 K; Ti_2N and Ti_5Si_3 are the reaction productsfrom 1073 to 1123K, and finally, till 1173K, the Ti-deposited film over Si_3N_4 substrate willexhaust itself and the reaction products change into TiN and Ti_5Si_4. The lattice constant of Si_3N_4is unaltered thronghout postannealing. This implies that the Ti atoms will never dissolve intoSi_3N_4 lattice.
Key wordsTi    Si_3N_4    interface    solid reaction
收稿日期: 1989-06-18     
基金资助:国家自然科学基金
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