金属学报  1999, Vol. 35 Issue (9): 934-938

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In2O3：Sn（ITO）薄膜的光学特性研究

陈猛 白雪冬　裴志亮 孙超 宫骏 黄荣芳 闻立时

中国科学院金属研究所; 沈阳 110015

陈猛; 白雪冬; 裴志亮; 孙超; 宫骏; 黄荣芳; 闻立时 . In2O3：Sn（ITO）薄膜的光学特性研究[J]. 金属学报, 1999, 35(9): 934-938 .

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(324 KB)   摘要: 对掺三氧化铟（Ｓｎ－ｄｏｐｅｄ Ｉｎ２Ｏ３简称ＩＴＯ）薄膜光学特性进行了研究. 结果表明, 该薄膜在可见光区具有高的透射率；低电阻率的ＩＴＯ薄膜在红外区的反射率随薄膜广场电阻的减小而增大, 表现在金属性质, ＩＴＯ薄膜的电磁本构特性参数光学折射率ｎ和消光系数Ｋ在４５０－８００ｎｍ区间的色散很弱, 基于对薄膜光学吸收及收系线性拟事表明, 薄膜在Ｋ＝０处价速写对导带的跃迁是禁戒跃迁. 关键词 ： 薄膜,  红外反射率,  ITO,  光学特性     Key words： 收稿日期: 1999-03-11      ZTFLH:  O484.41 TN304.21   服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 陈猛 白雪冬 裴志亮 孙超 宫骏 黄荣芳 闻立时 44.8K 链接本文: https://www.ams.org.cn/CN/Y1999/V35/I9/934 [1] Scalora M,Bloemer M J,Manka A S.Dowling J P,BowdenC M,Viswanathan R,Haus J W. Phys Rev.1997;56A:3166 [2] John S, Akozbek N. Phys Rev Lett,1993;71:1168 [3] Hamberg I,Granqvist C G. J Appl Phys,1986;60:R123 [4] Radhoiuane B H T,Takayuki B,Yutaka O.Yasutaka T. JAppl Phys;1998;83:2631 [5] Naoaki T, Hidefumi O, Shigesato Y. Yasuil, Masayuki K,Haynes T E.J Appl Phys,1996: 80: 978 [6] Bellingham J R, Phillips W A, Adkims C J. J Phys D:Con-dense Mater, 1990; 2:6207 [7] Bi S C,Shu T H. Thin Solid Films,1993;229:146 [8] Wen F W,Bi S C.Thin Solid Film,1997;298:221 [9] Chen M, Bai X D,Huang R F,Wen L S. Chin J Sem,(inpress)(陈猛,白雪冬,黄荣芳,闻立时,半导体学报.已接收) [10] Chen M, Bai X D,Huang R F, Wen L. J Funct Mater Dev.1999:5:61(陈猛,白雪冬,黄荣芳、闻立时,功能材料与器件学报,1999;5:61) [11] Chen M Bai X D, Huang R F Wen L Acata Metall Sin,1999;35:443(陈猛,白雪冬,黄荣芳,闻立时,金属学报,1999;35:443) [12] Frank G, Kauer E. Kostlin H Thin Solid Films, 1981;77:107 [13] Chen R T,Robinson D Appl Phys Lett,1992;60:1541 [14] Rakhshani A E,Makdsi Y, Ramazaniyan H A. J Appl Phys.1998; 83: 1049 [15] Claflin B,Fritzsche H.J Electronic Mater,1996;25:1772: [1] 任师浩, 刘永利, 孟凡顺, 祁阳. 应变工程中Bi(111)薄膜的半导体-半金属转变及其机理[J]. 金属学报, 2022, 58(7): 911-920. [2] 邱龙时, 赵婧, 潘晓龙, 田丰. 高速钢表面TiN薄膜的界面疲劳剥落行为[J]. 金属学报, 2021, 57(8): 1039-1047. [3] 曹庆平, 吕林波, 王晓东, 蒋建中. 物理气相沉积制备金属玻璃薄膜及其力学性能的样品尺寸效应[J]. 金属学报, 2021, 57(4): 473-490. [4] 郑晓航, 宁睿, 段佳彤, 蔡伟. Ti70-xTa15Zr15Fex (x=0.3、0.6、1.0)形状记忆合金薄膜的马氏体相变与阻尼行为[J]. 金属学报, 2020, 56(12): 1690-1696. [5] 李长记,邹敏杰,张磊,王元明,王甦程. 外延膜的高分辨X射线衍射分析[J]. 金属学报, 2020, 56(1): 99-111. [6] 何东昱,刘玉欣. 0.8PbTiO3-0.2Bi(Mg0.5Ti0.5)O3铁电薄膜90°分步畴转与温度效应[J]. 金属学报, 2019, 55(3): 325-331. [7] 吴厚朴,田修波,张新宇,巩春志. 双脉冲HiPIMS放电特性及CrN薄膜高速率沉积[J]. 金属学报, 2019, 55(3): 299-307. [8] 宋贵宏,李贵鹏,刘倩男,杜昊,胡方. 溅射沉积Mg2(Sn, Si)薄膜组织结构与导电性能[J]. 金属学报, 2019, 55(11): 1469-1476. [9] 何贤美, 童六牛, 高成, 王毅超. Nd含量对磁控溅射Si(111)/Cr/Nd-Co/Cr薄膜结构与磁性的影响[J]. 金属学报, 2019, 55(10): 1349-1358. [10] 马晓琴, 詹清峰, 李金财, 刘青芳, 王保敏, 李润伟. 倾斜溅射对CoFeB薄膜条纹磁畴结构与磁各向异性的影响[J]. 金属学报, 2018, 54(9): 1281-1288. [11] 时惠英, 杨超, 蒋百灵, 黄蓓, 王迪. 双脉冲磁控溅射峰值靶电流密度对TiN薄膜结构与力学性能的影响[J]. 金属学报, 2018, 54(6): 927-934. [12] 于晓明, 谭丽丽, 刘宗元, 杨柯, 朱忠林, 李扬德. Ti6Al4V表面生物功能纯Mg薄膜制备及性能研究[J]. 金属学报, 2018, 54(6): 943-949. [13] 董彩虹, 刘永利, 祁阳. 厚度对Bi薄膜表面特性和电学性质的影响[J]. 金属学报, 2018, 54(6): 935-942. [14] 张广平, 陈红蕾, 罗雪梅, 张滨. 微纳米尺度金属导电材料热疲劳研究进展[J]. 金属学报, 2018, 54(3): 357-366. [15] 孙亚超, 朱明刚, 韩瑞, 石晓宁, 俞能君, 宋利伟, 李卫. 各向异性稀土永磁薄膜的磁黏滞性[J]. 金属学报, 2018, 54(3): 457-462. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed