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金属学报  1994, Vol. 30 Issue (14): 82-85    
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铂薄膜中氧和碳的行为
武蕴忠;丁青;徐梅芳;王渭源
中国科学院上海冶金研究所
BEHAVIOUR OF OXYGEN AND CARBON IN Pt THIN FILM
WU Yunzhong;DING Qing;XU Meifang;WANG Weiyuan(Shanghai institute of Metallurgy;The Chinese Academy of Sciences)(Manuscript received 17 December;1992;in revised form 5 August;1993)
引用本文:

武蕴忠;丁青;徐梅芳;王渭源. 铂薄膜中氧和碳的行为[J]. 金属学报, 1994, 30(14): 82-85.
, , , . BEHAVIOUR OF OXYGEN AND CARBON IN Pt THIN FILM[J]. Acta Metall Sin, 1994, 30(14): 82-85.

全文: PDF(259 KB)  
摘要: 用Auger电子能谱研究铂薄膜中氧和碳杂质的行为.结果表明,氧和碳受它们在铂膜中扩散过程限制.在1000℃上、下两个温区,氧具有不同的扩散激活能,分别等于0.98和0.44eV;550─1000℃温度范围内,氧向膜外扩散,使铂膜净化;1000─1200℃温度范围内,氧向膜内扩散,使铂膜氧化.在所研究的整个温度范围内,碳的扩散激活能等于0.52ev,其扩散行为和氧相同,且随着氧含量的增减而增减.
关键词 Auger电子能谱扩散    
Abstract:Behaviours of O_2 and C in Pt thin film were observed by Auger spectroscopy to be limited by diffusion.The activation energy of O_2 diffusion into Pt is different,saying,0.98 and 0.44 eV at higher and lower than 1000℃ respectively.In a range of 550-1000℃ or 1000-1200℃,O_2 diffuses outward or inward Pt film,which may be purified or oxidized respectively.In the temperature range studied,the activation energy of C diffusion is equal to 0.52 eV.Its diffusion behaviour is identical to that of O_2 and the concentration of C in Pt film increases or decreases with increasing or decreasing O_2 content respectively.
Key wordsdiffusion    Pt film    oxygen    carbon
    
基金资助:国家自然科学基金;;中国科学院上海功能材料与器件研究中心资助
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