扩散阻挡层对Cu-Zr纳米合金膜电阻率与残余应力的影响

金属学报

2002, Vol. 38

Issue (7): 723-726

论文

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扩散阻挡层对Cu-Zr纳米合金膜电阻率与残余应力的影响

宋忠孝　鞠新华　徐可为

西安交通大学金属材料强度国家重点实验室;西安710049

引用本文:

宋忠孝; 鞠新华; 徐可为 . 扩散阻挡层对Cu-Zr纳米合金膜电阻率与残余应力的影响[J]. 金属学报, 2002, 38(7): 723-726 .

全文: PDF(166 KB)

摘要: 用磁控溅射和离子束溅射共沉积的方法分别在以单晶硅为基体的TiN,TaN,ZrN扩散阻挡层上沉积了Cu-Zr合金膜,膜在400℃氮气中退火1 h.结果表明扩散阻挡层对膜的晶体取向、电阻率和残余应力有很大影响.沉积态的膜具有强的(111)取向,且峰型严重展宽;退火后峰型明显锐化,出现(200)等晶体取向;对应TiN,TaN,ZrN三种扩散阻挡层,膜的电阻率在沉积态时分别达108,327和478μΩ@cm,退火后降至正常的数个μΩ@cm;扩散阻挡层亦可明显降低膜的残余应力,无扩散阻挡层时膜的退火应力达475 MPa,有ZrN扩散阻挡层后退火应力降至149 MPa.

关键词 ：扩散阻挡层, Cu-Zr合金膜, 电阻率

Key words：

收稿日期: 2001-10-15

ZTFLH:

TG111.6

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