Co薄膜中CoSi化合物相转变过程观察

金属学报

1995, Vol. 31

Issue (16): 179-182

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Co薄膜中CoSi化合物相转变过程观察

张灶利;肖治纲;杜国维

北京科技大学;北京科技大学材料物理系

OBSERVATION OF CoSi PHASE TRANSFORMATION IN Co FILM

ZHANG Zaoli; XIAO Zhigang; DU Guowei (University of Science and Technology Beijing; Beijing 100083)(Manuscript received 1994-05-18; in revised form 1994-10-18)

引用本文:

张灶利;肖治纲;杜国维. Co薄膜中CoSi化合物相转变过程观察[J]. 金属学报, 1995, 31(16): 179-182.
, , . OBSERVATION OF CoSi PHASE TRANSFORMATION IN Co FILM[J]. Acta Metall Sin, 1995, 31(16): 179-182.

全文: PDF(294 KB)

摘要: Ｓｉ衬底上生长的Ｃｏ薄膜，经２５０，４５０，５００℃退火后．用电子显微镜对Ｃｏ／Ｓｉ界面处ＣｏＳｉ化合物的相转变进行了观察结果发现ＣｏＳｉ为多晶颗粒．ＣｏＳｉ相和基体无取向关系Ｃｏ／Ｓｉ界面在退火温度范围内的相变过程为：２５０─４５０℃４５０─５００℃Ｃｏ２Ｓｉ＋Ｃｏｓｉ─→ＣＯＳｉ─→Ｃｏｓｉ＋ＣｏＳｉ２

关键词 ：薄膜, ＣｏＳｉ, 电子显微镜

Abstract：TEM observation was carried out on the phase transformation of CoSi along Co/ Si interface of the film grown on the Si substrate annealed at 250, 450 or 500℃respectively. CoSi is found to be the polycrystalline grains and no epitaxial relationship occurred between Si substrate and CoSi. The sequence of phase transformation for Co/Si interface in the annealing temperature range may be：250-450℃ 450-500℃Co2Si+ CoSi─→ CoSi─→CoSi+CoSi2(Correspondent: ZHANG Zaoli, Department of Material Physics, University of Science and TechnologyBeijing Beijing 100083)

Key words： thin film. CoSi. TEM

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