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金属学报  1995, Vol. 31 Issue (22): 473-476    
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纳米级SiC晶须的微波合成
戴长虹;张劲松;杨永进;曹丽华;张显鹏;夏非
东北大学;中国科学院金属研究所;东北大学有色金属冶金系
SYNTHESIS OF NANOMETER SILICON CARBIDE WHISKERS BY MICROWAVE HEATING
DAI Changhong; (Department of Non-ferrous Metallurgy; Northeastern University; Shenyang 110006) ZHANG Jinsong; YANG Yongjin; CAO Lihua; ZHANGXianpeng; XIA Fei (Northeastern University; Shenyang 110006) (Institute of Metal Research; Chinese Academy of Sciences; Shenyang 110015)
引用本文:

戴长虹;张劲松;杨永进;曹丽华;张显鹏;夏非. 纳米级SiC晶须的微波合成[J]. 金属学报, 1995, 31(22): 473-476.
, , , , , . SYNTHESIS OF NANOMETER SILICON CARBIDE WHISKERS BY MICROWAVE HEATING[J]. Acta Metall Sin, 1995, 31(22): 473-476.

全文: PDF(310 KB)  
摘要: 以酚醛树脂、超细炭黑和超细SiO2为原料,用微波加热的方法合成了直径在纳米级的SiC晶须。用X射线衍射、分析电镜等手段对SiC晶须进行了结构测定。比较并分析了不同的炭源和温度对SiC晶须性能的影响.
关键词 SiC晶须微波加热    
Abstract:A method for synthesizing silicon carbide whiskers by microwave heating is described in this paper. Silicon carbide whiskers with diameter in the range of nanometer have been obtaind by the reduction of SiO2 with C in an atmosphere of nitrogen. Ultrafine SiO2 powder, phenol formaldehyde resin and carbon black are used as starting materials. The structures of the whiskers are determined by means of XRD, TEM. The effects of temperature and carbon type on the production of SiC whiskers are discussed.
Key words SiC    whisker    microwave heating
    
基金资助:国家高技术新材料领域专家委员会资助
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