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金属学报  2005, Vol. 41 Issue (10): 1106-1110     
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脉冲偏压对电弧离子镀Ti/TiN纳米多层薄膜显微硬度的影响
赵彦辉 林国强 李晓娜 董 闯 闻立时
大连理工大学三束材料改性国家重点实验室; 大连 116024
引用本文:

赵彦辉; 林国强; 李晓娜; 董闯; 闻立时 . 脉冲偏压对电弧离子镀Ti/TiN纳米多层薄膜显微硬度的影响[J]. 金属学报, 2005, 41(10): 1106-1110 .

全文: PDF(223 KB)  
摘要: 采用脉冲偏压电弧离子镀方法在高速钢基体上沉积Ti/TiN纳米多层薄膜,采用正交实验法设计脉冲偏压电参数,考察脉冲偏压对Ti/TiN纳米多层薄膜显微硬度的影响。结果表明, 在所有偏压参数(脉冲偏压幅值、占空比和频率)和几何参数(调制周期和周期比)中, 脉冲偏压幅值是影响显微硬度的最主要因素;当沉积工艺中脉冲偏压幅值为900 V、占空比为50%及频率为30 kHz时, 薄膜硬度可高达34.1 GPa, 此时多层膜调制周期为84 nm,TiN和Ti单元层厚度分别为71和13 nm;由于薄膜中的单层厚度较厚, 纳米尺寸的强化效应并未充分体现于薄膜硬度的贡献中,硬度的提高主要与脉冲偏压工艺,尤其是脉冲偏压幅值对薄膜组织的改善有关。
关键词 脉冲偏压电弧离子镀Ti/TiN纳米多层薄膜    
Key words
收稿日期: 2005-04-07     
ZTFLH:  TB383  
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