金属学报  1998, Vol. 34 Issue (10): 1099-1103

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加入Co对Fe-N薄膜的结构与磁性的影响

王合英;马振伟;姜恩永;何元金

清华大学物理系;北京;100084;天津大学应用物理系;天津;300072;天津大学应用物理系;天津;300072;清华大学物理系;北京;100084

EFFECTS OF Co ADDITION ON THE STRUCTURE AND MAGNETIC PROPERTY OF Fe-N FILMS

WANG Heying; MA Zhenwei; JIANG Enyong; HE Yuanjin(Department of Physics; Tsinghua University; Beijing 100084)(Department of Applied Physics; Tianjin University; Tianjin 300072)Correspondent: WANG Heying; lecturer; Tel: (010)62783572;E-mail:mpl@mail.tsinghua. edu. cn or wix@mail.tsinghua.edu.cn

王合英;马振伟;姜恩永;何元金. 加入Co对Fe-N薄膜的结构与磁性的影响[J]. 金属学报, 1998, 34(10): 1099-1103.
, , , . EFFECTS OF Co ADDITION ON THE STRUCTURE AND MAGNETIC PROPERTY OF Fe-N FILMS[J]. Acta Metall Sin, 1998, 34(10): 1099-1103.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(1053 KB)   摘要: 研究了加入不同含量的Co对Fe-N薄膜结构与磁性的影响．实验结果表明，Co的原子分数在0-15％范围内薄膜的饱和磁极化强度Js值随Co含量的增加而增大；Co的原子分数为15％时，薄膜的Js达到最大值（2．7T）；随着Co的原子分数进一步增至30％，（Fe，Co）－N薄膜的Js值逐渐降低，但仍高于Fe-Co合金的最大Js值（2．4T）；当Co的原子分数为35％时，（Fe，Co）－N薄膜的Js值低于2．4T，但仍高于纯铁的饱和磁极化强度值（2．1T）． 关键词 ： （Fe，Co）－N薄膜,  掺杂,  饱和磁极化强度     Abstract：Effects of Co concentrations on the structure and magnetic properties of Fe-Nfilms were investigated. Experimelltal results show that the saturation magnetic polarization Jsof (Fe,Co)-N films with 0-15%Co (atomic fraction) increases with the Co content, reachinga maximum value of 2.7 T at 15%Co, and then decreases with the increase of the Co content to30%, but the Js of (Fe,Co)-N film with 30%Co is still larger than 2.4 T, which is the maximumJs value of Fe-Co alloy. The Js of (Fe, Co)-N films with 35%Co is smaller than that of 2.4 T,but it is larger than that of pure iron (2.1 T). Key words： (Fe    Co)-N thin film    addition    saturation magnetic polarization 收稿日期: 1998-10-18      基金资助:清华大学理学院基金 服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 王合英 马振伟 姜恩永 何元金 44.8K 链接本文: https://www.ams.org.cn/CN/      或      https://www.ams.org.cn/CN/Y1998/V34/I10/1099 1Kim T K, Takahashi M. APPl Phys Lett, 1972; 20: 492 2Sugita Y, Takahashi H, Komuro M, Mitsuoka K, Sakuma A. J Appl Phgs, 1994; 76: 6637 3Gao C, Doyle W D.J Appl Phys; 1993; 73: 6579 4Nakajima K, Okamoto S, Okada T.J Appl Phys, 1989; 65: 4357 5Ortiz C, Dumpich G, Morrish A H. APPl Phys Lett, 1994; 65: 2737 6Jiang H, Tao K, Li H.J Phys: Condens Matter, 1994; 6: L279 7Wallance W E, Huang M Q.J Appl Phys, 1994; 76: 6648 8Takahashi M, Shoji H, Nashi H, Waklyama T, Doi M, Matsui M.J Appl Phys, 1994; 76: 6642 9Min B I. Phys Rev, 1992; B46: 8232 IOCoehoorn R, Daalderop G H O, Jansen H J F. Phpo Rev 1993; B48: 3830 11Coey J M D, Donned K O, Qinian Q, Touchais E, Jack K H.J Phys: Condens Matter, 1994; 6: L23 12Sun D C, Lin C, Jiang E Y.J Phys: Condens Matter 1995; 7: 3667 13Jack H K.J Appl Phys, 1996; 76: 6620 [1] 王福容, 张永梅, 柏国宁, 郭庆伟, 赵宇宏. Al掺杂Mg/Mg2Sn合金界面的第一性原理计算[J]. 金属学报, 2023, 59(6): 812-820. [2] 毛斐, 吕皓, 唐法威, 郭凯, 刘东, 宋晓艳. Mn和In添加对SmCo7结构稳定性及磁矩影响的第一性原理计算[J]. 金属学报, 2021, 57(7): 948-958. [3] 杨莎莎,杨峰,陈明辉,牛云松,朱圣龙,王福会. N掺杂对磁控溅射Ta涂层微观结构与耐磨损性能的影响[J]. 金属学报, 2019, 55(3): 308-316. [4] 张世政,徐要辉,汪庭语,李锐星,才鸿年. In3+掺杂CeO2的固溶度及其储氧能力*[J]. 金属学报, 2016, 52(5): 607-613. [5] 单麟婷, 巴德纯, 曹青, 侯雪艳, 李建昌. Ce-Cu共掺杂对SnO2薄膜光电特性的影响*[J]. 金属学报, 2014, 50(1): 95-102. [6] 李泓霖，张仲，吕英波，黄金昭，刘如喜. Eu掺杂ZnO结构光电性质的第一性原理及实验研究[J]. 金属学报, 2013, 29(4): 506-512. [7] 周立颖，王福合. 点缺陷对γ－TiAl (100)表面O原子吸附和扩散影响的第一性原理研究[J]. 金属学报, 2013, 49(11): 1387-1391. [8] 厉英,丁玉石,崔绍刚,王常珍. 掺杂Sc的CaZrO3的制备及电学性能[J]. 金属学报, 2012, 48(5): 575-578. [9] 范永中 张淑娟 涂金伟 孙霞 刘芳 李明升. Si和Y掺杂对(Ti, Al)N涂层结构和性能的影响[J]. 金属学报, 2012, 48(1): 99-106. [10] 厉英 马北越 王臻明 姜茂发. Na1.4Co2O4基热电材料的溶胶-凝胶法制备及表征[J]. 金属学报, 2011, 47(1): 109-114. [11] 向鑫 陈长安 刘柯钊 罗丽珠 刘婷婷 王小英. C掺杂对Al中He行为的影响[J]. 金属学报, 2010, 46(3): 318-323. [12] 杨义勇 彭志坚 付志强 邬苏东 陈新春 王成彪. 多组分缓冲层W梯度掺杂DLC复合薄膜研究[J]. 金属学报, 2010, 46(1): 34-40. [13] 张静玉 刘庆峰 刘茜. Ti对Zn-Al合金薄膜耐腐蚀性能的影响[J]. 金属学报, 2009, 45(10): 1166-1170. [14] 王东; 史苍际; 刘春明; 王常珍 . CaZr0.9In0.1O3高温质子导体管的制备及性质表征[J]. 金属学报, 2008, 44(2): 177-182 . [15] 张霞; 孟皓; 孙挺 . Fe3+/TiO2复合纳米粒子的制备及可见光响应性能[J]. 金属学报, 2008, 44(11): 1394-1398 . Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed