金属学报  1996, Vol. 32 Issue (4): 404-408

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金属薄膜形成过程中电导特性变化的有效媒质理论

曹晓晖;唐兆麟;黄荣芳;闻立时;师昌绪

中国科学院金属研究所

THE EFFECTIVE MEDIUM THEORY OF THE CONDUCTIVITY CHANGE DURING THE FORMATION OF METAL FILM

CAO Hiaohui; TANG Zhaolin; HUANG Rongfang; WEN Lishi; SHI Changxu (Institute of Metal Research; Chinese Academy; of Sciences; Shenyang 110015) (Manuscript received 1995-08-10; in revised form 1995-10-23)

曹晓晖;唐兆麟;黄荣芳;闻立时;师昌绪. 金属薄膜形成过程中电导特性变化的有效媒质理论[J]. 金属学报, 1996, 32(4): 404-408.
, , , , . THE EFFECTIVE MEDIUM THEORY OF THE CONDUCTIVITY CHANGE DURING THE FORMATION OF METAL FILM[J]. Acta Metall Sin, 1996, 32(4): 404-408.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(299 KB)   摘要: 利用有效媒质理论描述了金属薄膜形成过程中电导率变化规律，与实验测得的Ａｌ薄膜形成过程中电导率变化结果比较接近．分析和讨论了一些影响计算结果准确性的因素． 关键词 ： 薄膜,  电导率,  有效媒质理论     Abstract：The calculated results indicated that the effective medium theory is available and convenient for discribing the conductivity of metal film during the film formation. The little difference between the theoretically calculated and experimental results was discussed in detail. Correspondent: CAO Xiaohui,(postdoctoral worker, State Key Laboratory of Catalysis, Institute of Chemical Physics, Chinese Academy of Sciences, Dalian 116023) Key words： aluminium film    conductivity    effective medium theory 收稿日期: 1996-04-18      服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 曹晓晖 唐兆麟 黄荣芳 闻立时 师昌绪 44.8K 链接本文: https://www.ams.org.cn/CN/      或      https://www.ams.org.cn/CN/Y1996/V32/I4/404 1Maxwell-GarnettJC．PhilosTransRSocLondon,1904;A203:3852BruggemanDAG．AnnPhys(Leipzig),1935,24:6363ShengP．PhysRevLett,1980;45:604曹晓晖.中国科学院金属研究所博士学位论文,1995j [1] 李斗, 徐长江, 李旭光, 李双明, 钟宏. La掺杂P型CeyFe3CoSb12 热电材料及涂层的热电性能[J]. 金属学报, 2023, 59(2): 237-247. [2] 任师浩, 刘永利, 孟凡顺, 祁阳. 应变工程中Bi(111)薄膜的半导体-半金属转变及其机理[J]. 金属学报, 2022, 58(7): 911-920. [3] 邱龙时, 赵婧, 潘晓龙, 田丰. 高速钢表面TiN薄膜的界面疲劳剥落行为[J]. 金属学报, 2021, 57(8): 1039-1047. [4] 曹庆平, 吕林波, 王晓东, 蒋建中. 物理气相沉积制备金属玻璃薄膜及其力学性能的样品尺寸效应[J]. 金属学报, 2021, 57(4): 473-490. [5] 崔洋, 李寿航, 应韬, 鲍华, 曾小勤. 基于第一性原理的金属导热性能研究[J]. 金属学报, 2021, 57(3): 375-384. [6] 郑晓航, 宁睿, 段佳彤, 蔡伟. Ti70-xTa15Zr15Fex (x=0.3、0.6、1.0)形状记忆合金薄膜的马氏体相变与阻尼行为[J]. 金属学报, 2020, 56(12): 1690-1696. [7] 李长记,邹敏杰,张磊,王元明,王甦程. 外延膜的高分辨X射线衍射分析[J]. 金属学报, 2020, 56(1): 99-111. [8] 吴厚朴,田修波,张新宇,巩春志. 双脉冲HiPIMS放电特性及CrN薄膜高速率沉积[J]. 金属学报, 2019, 55(3): 299-307. [9] 何东昱,刘玉欣. 0.8PbTiO3-0.2Bi(Mg0.5Ti0.5)O3铁电薄膜90°分步畴转与温度效应[J]. 金属学报, 2019, 55(3): 325-331. [10] 宋贵宏,李贵鹏,刘倩男,杜昊,胡方. 溅射沉积Mg2(Sn, Si)薄膜组织结构与导电性能[J]. 金属学报, 2019, 55(11): 1469-1476. [11] 何贤美, 童六牛, 高成, 王毅超. Nd含量对磁控溅射Si(111)/Cr/Nd-Co/Cr薄膜结构与磁性的影响[J]. 金属学报, 2019, 55(10): 1349-1358. [12] 马晓琴, 詹清峰, 李金财, 刘青芳, 王保敏, 李润伟. 倾斜溅射对CoFeB薄膜条纹磁畴结构与磁各向异性的影响[J]. 金属学报, 2018, 54(9): 1281-1288. [13] 于晓明, 谭丽丽, 刘宗元, 杨柯, 朱忠林, 李扬德. Ti6Al4V表面生物功能纯Mg薄膜制备及性能研究[J]. 金属学报, 2018, 54(6): 943-949. [14] 时惠英, 杨超, 蒋百灵, 黄蓓, 王迪. 双脉冲磁控溅射峰值靶电流密度对TiN薄膜结构与力学性能的影响[J]. 金属学报, 2018, 54(6): 927-934. [15] 董彩虹, 刘永利, 祁阳. 厚度对Bi薄膜表面特性和电学性质的影响[J]. 金属学报, 2018, 54(6): 935-942. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed