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金属学报  1993, Vol. 29 Issue (5): 11-15    
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离子渗氮层的晶体缺陷和界面结构
孙东升;李凤照;戴吉岩;李斗星
山东工业大学材料工程研究所;副教授;济南250014;山东工业大学;中国科学院金属研究所固体原子像开放研究实验室;中国科学院金属研究所固体原子像开放研究实验室;中国科学院金属研究所固体原子像开放研究实验室
CRYSTAL DEFECTS AND INTERFACE STRUCTURE OF ION-NITRIDED LAYERS
LI Fengzhao;DAI Jiyan;LI Douxing Shandong Polytechnic University; Jinan; Laboratory of Atomic Imaging of Solids; Institute of Metal Research; Academia Sinica; Shenyang Laboratory of Atomic Imaging of Solids; Institute of Metal Research; Academia Sinica; ShenyangSUN Dongsheng;assoeiate professor.Institute of Materials Engineering.Shandong Polytechnic University ;Jinan 250014
引用本文:

孙东升;李凤照;戴吉岩;李斗星. 离子渗氮层的晶体缺陷和界面结构[J]. 金属学报, 1993, 29(5): 11-15.
, , , . CRYSTAL DEFECTS AND INTERFACE STRUCTURE OF ION-NITRIDED LAYERS[J]. Acta Metall Sin, 1993, 29(5): 11-15.

全文: PDF(1967 KB)  
摘要: 采用高分辨电子显微镜研究了离子渗氮层的晶体缺陷和界面结构结果表明,高速离子的持续轰击将导致大量空位点缺陷的产生,空位的聚合形成空位盘,空位盘的崩塌形成扩展位错,层错四面体等晶体缺陷 ε(Fe_(2-3)N)和γ'(Fe_4N)相界面平直、共格,且具有:(111)∥(0001)_ε,[110]γ'∥[1120]_ε的取向关系
关键词 晶体缺陷界面结构离子渗氮    
Abstract:Observation under high resolution electron microscope shows that the contin-uous bombing of high speed ions produces a great amount of vacant site defects. The assem-bly of vacancies forms vacant dish, and the collapase of vacant dish forms stacking faulttetrahedrons and other crystal defects. The interfaces between phase ε(Fe_(2-3)N) and phaseγ′(Fe_4N) are smooth, straight and coherent, and they have the orientation relationships of(111)//(0001) and [110]/[1120].
Key wordscrystal defect    interface structure    ion-nitriding
收稿日期: 1993-05-18     
基金资助:山东省自然科学基金
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