Y掺杂Ti膜的吸放氢行为
Behavior of Hydrogen Absorption and Desorption in Y-doped Ti Films
通讯作者: 施立群,lqshi@fudan.edu.cn,主要从事离子束应用物理、反应堆材料与物理、功能薄膜物理与技术等研究;
第一联系人:
责任编辑: 李海兰
收稿日期: 2022-04-08 修回日期: 2022-05-22
Corresponding authors: SHI Liqun, professor, Tel:
Received: 2022-04-08 Revised: 2022-05-22
作者简介 About authors
李 聪,女,1995年生,博士生
合金化方法通常被用于改善储氢金属的力学性能,然而这往往会影响材料的储氢性能。为了研究Y掺杂对金属Ti吸放氢的影响,本工作从实验和模拟2方面研究了Ni/Ti-Y合金薄膜的吸放氢特性。采用直流磁控溅射方法制备不同Y掺杂含量的Ti-Y薄膜,并在表面镀一层Ni膜以减少表面污染。吸氘实验发现,Ti薄膜中氘(D)含量随着Y浓度的增加而增大,这是因为替位Y能够结合更多的D,且Y易与O结合可降低Ti被毒化的程度,有利于Ti吸D。密度泛函理论计算表明Y增强了与其相邻的Ti—H 键能,同时产生了较强的Y—H键,导致紧邻Y的H结合能和扩散势垒增大,Ti-Y对H的束缚力增强;氘热释放实验结果显示Ni/Ti-Y体系的D解吸表观活化能高于纯Ni/Ti,说明Y对Ni/Ti-Y体系的氘脱附动力学产生了重要影响。结果表明Y掺杂对Ti薄膜体系的吸放氢性能都产生了一定程度的影响。
关键词:
Alloying is often used to improve resistance to hydrogen-induced pulverization and cracking of hydrogen storage materials such as titanium and zirconium. However, it often affects the hydrogen storage performance of the material itself. Ti-Y alloys exhibit good mechanical properties, and they can effectively suppress hydrogen embrittlement. The properties of hydrogen absorption and desorption were investigated experimentally and theoretically in the present work. Y was uniformly doped into Ti films as a substitution atom using direct current magnetron sputtering. In addition, a Ni film of about 5 nm was subsequently deposited onto all sample surfaces to reduce surface contamination. Deuterium gas (D2) was used for hydrogen absorption experiment. Hydrogen absorption results show that the deuterium concentration in Ti-Y films increases with the increase of Y concentration. Combined with the density functional theory (DFT) calculation, the effects of Y doping on the hydrogen absorption properties of Ti could be summarized as follows: (1) the binding energy of Y to H calculated by DFT is stronger than that of Ti, thereby increasing the concentration of D absorbed; (2) Y has a strong affinity for O to form Y2O3, which reduces O impurity concentration in Ti film and facilitates more D atoms to enter the Ti lattice to increase the amount of D absorption; (3) Y substitutes for the Ti atom to increase the binding energy of Ti—H adjacent to Y, making the D atom less likely to escape, and to reduce the diffusion barrier of D around Ti, which is distant from Y, making it easy for D to diffuse deeper into the sample. Therefore, the concentration of D absorbed in Ti samples increases with the increase of Y concentration. With regard to the properties of D desorbed in Ti-Y samples, the results show that the D desorption activation energy of the deuteride Ti-Y film could be increased by doping Y. The D desorption temperature is determined by the D thermal desorption kinetics of the Ni/Ti-Y film system, and Y doping may increase the apparent binding energy and diffusion activation energy for D of the overall Ti lattice. The surface potential barrier has an important effect on D desorbed from Ti. Furthermore, Y doping has a certain degree of influence on the hydrogen absorption and desorption performance of Ti thin films.
Keywords:
本文引用格式
李聪, 王猛, 屠汉俊, 施立群.
LI Cong, WANG Meng, TU Hanjun, SHI Liqun.
Ti是迄今为止储氢量最高的金属[1, 2],它的氢(氘、氚)化物稳定,作为储氢材料具有非常广泛的应用前景,其氚化物常被用作中子发生器靶材[3]。但Ti氢化后会有较大程度的体积膨胀,易造成材料粉化开裂,影响材料的力学性能,从而可能阻碍其进一步吸氢[4, 5]。人们通常采用合金化的方法改进Ti的力学性能。赵越等[6]和施立群等[7,8]通过掺杂Mo元素成功提高了Ti的抗粉化能力,但Mo的加入却导致Ti吸氢量降低;邴文增等[9]发现掺杂Hf也有望提高Ti的力学性能,但仍然会使得Ti吸氢的平台压升高。因此,既能提高Ti的力学性能,又不影响其吸氢能力的合金化方法还需进一步探索。有研究[10~13]表明,Ti-Y合金表现出了良好的延展性和热稳定性,Y易与O形成氧化物沉淀,Y2O3具有弥散强化作用,可以很好抑制储氢金属的氢脆现象[14]。然而,目前关于Y掺杂对Ti体系吸放氢影响的相关研究还很少。
此外,Ti作为一种活泼金属,表面易与空气作用,发生“毒化”现象[15~17]。即使在超高真空条件下,纯Ti表面也会受到C、O污染,使得表面可提供氢化学吸附的活性位点减少,从而降低吸氢速率[18]。预研究[19,20]表明,在Ti表面镀一层过渡金属(例如Pd、Ni)不仅能作为表面催化剂,提高氢化效率,还能作为保护层,阻止表面“毒化”。因此,本工作通过在Ti薄膜表面镀一层5 nm左右的Ni膜来降低表面污染对薄膜吸氢性能的影响。制成的样品在超高真空吸放氢系统中经过“激活-充气-保温”的氢化工艺进行吸氢,采用离子束分析和热脱附谱等方法研究Y掺杂对Ti薄膜吸放氢特性的影响。与此同时,通过基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算对H在α-Ti和TiH2中的成键、扩散等行为进行了模拟,通过实验现象和理论计算结果互相验证,综合评判Y掺杂对Ti吸放氢性能的影响。
1 实验方法
1.1 样品准备
采用直流磁控溅射技术[21]制备了不同Y含量的Ti薄膜样品。固体复合靶由Ti靶(纯度99.995%,直径63 mm,厚度5 mm)和3种尺寸的5个梯形Y片(纯度99.99%)构成,Ti靶和Y片都用砂纸进行抛光处理,5个Y片均匀放置在Ti靶溅射“轨道”上,与中心夹角为72°,如图1所示。基片为半径9 mm,厚1 mm的Mo半圆片,使用前均已抛光至镜面,并置于无水乙醇中用超声波清洗,烘干后,装入真空镀膜室中。通过分子泵系统抽真空,经2 h烘烤并冷却至室温,镀膜腔室的极限真空度可以达到2 × 10-5 Pa。镀膜工作气体为Ar气,流量固定为6.0 mL/min,镀膜压强控制在约1.20 Pa,溅射电压和电流分别为270 V和0.24 A,样品加上约50 V的负偏压,溅射时间为2 h。在Ti膜沉积完成后,不破坏腔室真空度,直接将样品转至Ni溅射靶正上方以沉积Ni表面层,工作气压控制在0.40 Pa左右,溅射电压和电流分别为360 V和0.2 A,溅射3~4 s后可在样品表面形成5~6 nm的薄Ni层。
图1
1.2 吸氘实验
Ti薄膜吸氘在复旦大学超高真空吸放氢系统中进行。本工作采用高纯氘气(99.995%D2)作为实验气体。样品放置在石英管中,通过分子泵和离子泵组成的抽气系统抽气,石英管中的极限真空可达6 × 10-5 Pa。样品在300℃下进行激活,再降温至100℃,通过流量计控制,向石英管中通入800~900 Pa的D2,在100℃下保温2 h,随后自然冷却,当温度降至40℃以下,抽掉剩余D2。样品温度采用R型热电偶进行测量。
1.3 样品表征
1.3.1 成分分析与相结构表征
本工作采用一种无损检测方法——离子束分析(ion beam analysis,IBA)技术,对薄膜厚度、元素含量(包括Ti、Y、D等)进行测量[22],IBA在NEC 9SDH-2型2 × 3 MV静电串列加速器的N15°应用束线上进行。采用3.0 MeV 4He入射离子束的Rutherford背散射技术(Rutherford backscattering spectrometry,RBS)测量薄膜厚度及Ti、Y含量,通过165°位置的金硅面垒探测器探测背散射的4He粒子。以5.5 MeV 4He离子为入射束的弹性反冲分析(elastic recoil detection analysis,ERDA)[23]可以有效探测样品中的D浓度分布,测量时薄膜样品倾斜75°,采用位于30°位置的金硅面垒探测器探测前向反冲的D原子,在探测器前放置38 μm厚的Mylar膜以阻挡散射的4He粒子。测量过程中本底真空< 5 × 10-5 Pa。测得的能谱经SIMNRA软件[24]进行解谱,得到相应的元素信息。
通过D/MAX 2550 V掠入射X射线衍射仪(GIXRD)分析样品吸氘前后的相结构,CuKα,管电压和管电流分别为40 kV和200 mA,扫描采用2θ模式,掠入射角1°,步长6°/min,扫描角度10°~80°。
采用AXIS Ultra DLD X射线光电子能谱(XPS)研究氘化后薄膜样品的组成和化学状态。测量前采用氩离子进行刻蚀,以去除Ni表面层,刻蚀电压和电流分别为2 kV和20 μA,刻蚀区域尺寸为3 mm × 3 mm。XPS测得的窄扫谱通过CasaXPS软件进行谱图拟合。
1.3.2 热脱附分析
热脱附谱(thermal desor-ption spectra,TDS)是指在一定真空条件下,通过线性加热使样品中被束缚的气体原子释放,使用四极质谱仪所记录下的释放气体的压强随温度变化的曲线。吸氘后的样品在实验室超高真空-热脱附系统中进行热释放实验。样品被放置于绝缘石英玻璃(导热系数很小)上,且与WRe5/26型热电偶紧密接触。实验前腔室经3 h预加热(< 323 K),去除腔室内吸附的残余气体,最终本底真空可以达到 < 3 × 10-6 Pa。腔室具备水冷循环装置,以保证加热稳定。样品以一定的升温速率被加热至1073 K。通过SRS RGA100型四极质谱仪探测质荷比分别为3 (HD)、4 (D2)、20 (D2O)的气体分压强。
2 理论模拟
关于金属Ti吸氢的模拟研究已有较多报道。Li等[25]通过DFT研究了α-Ti和β-Ti吸氢后的晶格结构,发现吸氢量对于α-Ti晶格体积影响更为显著;刘松和王寅岗[26]则研究了α-Ti和β-Ti中H的扩散行为,发现H在β-Ti中更容易扩散,然而β-Ti的形成需要较高的温度(882℃)。TiH2的研究主要集中在力学和热力学性质[27],对晶格中H的迁移、解离的研究较少。至于过渡元素的掺杂效应,之前的研究多集中于Mg、Zr等金属[28~31]:ε相氢化锆(ZrH2)中加入Pt将抑制H扩散,而加入Cr和Fe将促进H扩散;关于Ti金属中过渡金属掺杂效应研究的较少,因此本工作使用基于DFT的第一性原理计算方法,研究了Y掺杂对α-Ti和TiH2中氢原子扩散以及氢解离的影响。该部分工作使用Materials Studio软件中的Cambridge Serial Total Energy Package (CASTEP)量子力学模块完成[32,33],价电子和离子实的相互作用使用超软赝势(ultrasoft pseudopotential)来描述。电子的交换关联泛函用Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE)形式的广义梯度近似(generalized-gradient approximation,GGA)[34]来描述。平面波截断能Ecut设置为350 eV。Brillouin区的k点网格取样使用Mokhorst-Pack方法,根据实际计算情况测试,k点设置为5 × 5 × 5。在优化晶格过程中,自洽循环终止条件为:体系总能收敛到5.0 × 10-6 eV/atom,压力小于0.02 GPa,原子离位小于5.0 × 10-5 nm,原子受到的力小于0.1 eV/nm。自洽场(self-consistent field,SCF)计算收敛参数设置为2.0 × 10-6 eV/atom。为了保证计算结果的准确性,将单胞或原胞扩展成超晶胞进行计算,扩胞后α-Ti中包含32个Ti原子,TiH2中包含32个Ti原子和64个H原子。α-Ti与TiH2单胞结构参数如表1所示,与文献[25,27]中的数据一致。
表1 α-Ti与TiH2单胞的结构参数
Table 1
Structure type | Space group | Space group No. | Cell parameter | |||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
a / nm | b / nm | c / nm | α / (°) | β / (°) | γ / (°) | |||
α-Ti | P63/mmc | 194 | 0.29487 | 0.29487 | 0.46146 | 90 | 90 | 120 |
TiH2 | Fm | 225 | 0.44275 | 0.44275 | 0.44275 | 90 | 90 | 90 |
DFT模拟旨在考察Y掺杂前后α-Ti和TiH2的氢结合能(binding energy)和扩散激活能(diffusion activation energy)。TiH2的H结合能表达式为(α-Ti不考虑氢结合能):
其中,
图2
图2
α-Ti中H扩散路径(黑色箭头)
Fig.2
H diffusion paths in α-Ti (black arrows) (The blue (including the green), white, and purple balls represent Ti, H, and Y atoms, respectively; O1, O2, O3 represent octahedral interstitial sites (OIS) 1, 2, and 3, respectively; TIS—tetrahedron interstitial sites)
图3
图3
TiH2中H扩散路径(黑色箭头)
Fig.3
H diffusion paths in TiH2 (black arrows) (The blue, white, and purple balls represent Ti, H, and Y atoms, respectively; T1, T2 represent TIS 1 and 2, respectively)
3 结果与讨论
3.1 Y掺杂Ti薄膜的吸氢特性
3.1.1 DFT模拟
通过计算模拟得到的掺杂Y前后H结合能和扩散激活能列于表2,其中H扩散路径中各点对应的能量如图4所示。结果表明,在α-Ti中,无论是否掺杂Y,H在Path 3中迁移所需的能量最低。可见,尽管H在α-Ti中优先占据八面体间隙,但H并不是简单的在八面体间隙之间扩散,而是优先跳跃至近邻的四面体间隙位,再扩散至下一个八面体间隙;比较Y掺杂前后的扩散势垒可以发现,无Y掺杂的扩散势垒计算结果与文献[26,35]的计算结果相近,Y掺杂后紧邻的H扩散势垒(表2中记为near Y)增大,Path 1、Path 2和Path 3分别增长了0.872、2.382和0.625 eV,而距Y较远的H的部分扩散路径的势垒(表2中记为far from Y)比其在原α-Ti中的略低,这说明在有Y原子存在的局部晶格中H扩散能力降低,但在远离Y原子的大部分晶格中H的扩散能力略微增强;在TiH2中,Y掺杂后紧邻H在Path 1和Path 2中的扩散势垒分别增长了0.027和0.784 eV,非紧邻H的扩散势垒则略微降低,这说明Y掺杂降低了紧邻Y的H在晶格间隙间的跃迁几率,从而降低了H在Ti中的扩散速率。关于TiH2中H的结合能,在固定Y掺杂位点的条件下,由于不同的H相对Y的位置有所不同,本工作计算了Y掺杂前后来自3种位置H的结合能,如图5所示。Y原子在超胞的中心位置,橘黄色小球代表了Y周围最近邻的8个H原子,这8个H原子是等效的,绿色小球代表了Y次近邻的8个H原子,同样是互相等效的,这是与Y作用最明显的2组原子,虽然外圈H原子不直接与Y成键,但仍受到一定的影响,因此选择了其中一个位置的H原子(粉色小球)作为对比。白色小球代表了Ti—H键断裂后H的位置,为八面体间隙位置。3种位置H的结合能计算结果如表2所示,Site 1代表了最近邻H的结合能,掺Y后增加了0.031 eV;Site 2代表了次近邻H的结合能,掺Y后降低了0.034 eV;Site 3代表了外圈H的结合能,掺Y后降低了0.151 eV。这说明Y对H结合能的作用效果与H相对Y的距离有关,对最近邻H具有增强作用,而对较远处的H作用相反。
表2 α-Ti和TiH2中氢结合能和扩散激活能计算结果
Table 2
Structure | Binding energy / eV | Diffusion activation energy / eV | |||
---|---|---|---|---|---|
Undoped Y | Doped Y | Undoped Y | Doped Y (near Y, far from Y) | ||
α-Ti | - | - | Path 1: 0.733 Path 2: 1.987 Path 3: 0.563 | Path 1: 1.605, 0.721 Path 2: 4.369, 1.906 Path 3: 1.215, 0.616 | |
TiH2 | Site 1: 1.136 | Site 1: 1.167 | Path 1: 1.101 | Path 1: 1.885, 1.070 | |
Site 2: 1.136 | Site 2: 1.102 | Path 2: 0.965 | Path 2: 0.993, 0.961 | ||
Site 3: 1.348 | Site 3: 1.197 |
图4
图4
掺Y前后H原子在α-Ti (Ti32)和TiH2 (Ti32H64)中不同扩散路径需要克服的能量势垒
Fig.4
Energy barriers for a H atom to need to be overcome in passing through different diffusion paths in α-Ti (Ti32) (a) and TiH2 (Ti32H64) (b) before and after Y doping
图5
图5
计算掺Y氢化钛中H的结合能时不同位置H的示意图
Fig.5
Schematic of H at different positions in calculating the binding energy of H in Y-doped TiH2 (The gray, orange, green, and pink balls all represent the H atoms of the TiH2 matrix; the blue and purple balls represent the Ti and Y atoms, respectively; the white ball represents the H atom located in OIS near the Y atom)
为了进一步说明Ti—H、Y—H之间的作用,对掺杂Y前后的α-Ti (Ti32)和TiH2 (Ti32H64)中原子间键的重叠集居数进行了分析,表3中列出了因掺杂Y原子而发生重叠布居数变化的Ti原子。对于α-Ti,所列出的Ti位置如图2中绿色小球所示,Ti 25是被Y 1替换的原子;对于TiH2,则依据H的位置区分,如图5中粉色、黄色和绿色小球所示。通过重叠集居数可定性地分析原子间的成键情况,高的集居数表明键的共价性较强,低的集居数则表明键更偏离子性。结果发现,对于α-Ti,无Y掺杂的晶格中H与周围的Ti原子均匀成键,而当Y替位一个Ti原子后,H只与Y以及Y周围的一个Ti原子形成共价键,但Ti—H键的强度大于无Y掺杂的情况,且Y—H键能强于Ti—H键,因此会造成H扩散势垒增加。对于TiH2体系,无Y掺杂时,一个H可以与4个Ti原子成键,Ti—H的重叠集居数均为0.17。当一个Y原子替位Ti原子时,不同位置的H原子表现不同,Site 1位置的H 57与替位Y原子形成很强的共价键(大于无掺杂时的Ti—H键),而与其他3个Ti原子成弱共价键;Site 2位置的H 61实际上并不与Y成键,但受其电荷分布的影响,与其中1个Ti原子的重叠布局数稍高于不掺Y的情况;Site 3位置的H 53仍然不与Y成键,但与其中3个Ti原子的重叠布居数稍低于不掺Y的情况。总的来说,Y掺杂后,Y—H之间成强共价键,H与周围其他Ti原子的键较弱,对较远处的Ti原子状态几乎无影响。若体系中Y掺杂含量足够高,则TiH2中H结合能和扩散势垒均会增加,这个结果很大程度上来源于Y对H的束缚作用。需要注意的是,α-Ti在882℃时会形成β-Ti,在本工作中并不涉及如此高温度;氢化后,Ti中可能形成fcc结构的δ-TiH x 、fct结构的ε-TiH x (1.5 ≤ x ≤ 1.99)以及介稳相γ-TiH (fct结构)[36]。其中ε相只能存在于低温环境,当温度高于25~40℃时,ε相转变为δ相[37],所以只要采用正确的吸氢工艺,金属Ti中就会形成fcc结构的δ相氢化钛。因此,本部分模拟只考察了较为普遍的α-Ti和TiH2结构,没有考虑Ti氢化后的其他相结构。
表3 掺杂Y前后α-Ti(Ti32)和TiH2(Ti32H64)中原子间键的键级及键长
Table 3
Structure type | Bond | Population | Length / nm | ||
---|---|---|---|---|---|
Ti32 + (OIS)H | H 1—Ti 24 | 0.11 | 0.207939 | ||
H 1—Ti 25 | 0.11 | 0.207980 | |||
H 1—Ti 31 | 0.11 | 0.210424 | |||
H 1—Ti 27 | 0.11 | 0.210441 | |||
H 1—Ti 22 | 0.11 | 0.210450 | |||
H 1—Ti 18 | 0.11 | 0.210462 | |||
Ti31Y + (OIS)H | H 1—Ti 16 | 0.25 | 0.196828 | ||
H 1—Ti 22 | -0.04 | 0.215428 | |||
H 1—Ti 30 | -0.04 | 0.215478 | |||
H 1—Ti 6 | -0.09 | 0.216495 | |||
H 1—Ti 14 | -0.09 | 0.216544 | |||
H 1—Y 1 | 0.75 | 0.231456 | |||
Ti32H64 | H 57—Ti 29 | 0.17 | 0.191691 | ||
H 57—Ti 32 | 0.17 | 0.191692 | |||
H 57—Ti 31 | 0.17 | 0.191692 | |||
H 57—Ti 30 | 0.17 | 0.191690 | |||
Ti31YH64 | H 57—Y 1 | 0.78 | 0.216871 | ||
H 57—Ti 29 | -0.02 | 0.191911 | |||
H 57—Ti 30 | -0.03 | 0.191911 | |||
H 57—Ti 31 | -0.02 | 0.191912 | |||
H 61—Ti 13 | 0.17 | 0.192944 | |||
H 61—Ti 16 | 0.18 | 0.192419 | |||
H 61—Ti 29 | 0.17 | 0.194045 | |||
H 61—Ti 30 | 0.17 | 0.194046 | |||
H 53—Ti 9 | 0.17 | 0.192053 | |||
H 53—Ti 12 | 0.16 | 0.191819 | |||
H 53—Ti 26 | 0.16 | 0.191820 | |||
H 53—Ti 27 | 0.16 | 0.190320 |
3.1.2 吸氘实验结果
使用磁控溅射制备了Ni/Ti/Mo、Ni/TiY0.08/Mo、Ni/TiY0.13/Mo 3种薄膜。采用3.0 MeV的4He粒子垂直入射样品,进行RBS分析以测量吸氘前后的薄膜成分及厚度,其中Ni/TiY0.13/Mo薄膜吸氘前后的RBS测量-拟合谱如图6所示。可以看出,Y原子均匀分布在Ti薄膜中,且吸氘后的Ti薄膜宽度明显增大,表明氘化后晶格发生膨胀,体积变大,原子密度降低,厚度增加。5.5 MeV 4He粒子入射样品测量吸氘后样品中D含量的典型ERDA测量-拟合谱如图7所示,较大道数区域的能谱(约600~400道)是较高能量的反冲D,大约400道以后是H、D混合的能谱峰,采用阻挡膜的ERDA分析方法无法区分,因而限制了D的分析深度。所有氘化样品的D原子浓度分布曲线如图8所示,D的浓度采用D在所有原子中的占比(D / (Ti + Y + D))表示,图中虚线表示忽略样品中H浓度后的D估算浓度。同时,所有样品的相关测量结果列在表4中,根据实验结果对所有样品重新命名,即为Ni/TiD0.63/Mo、Ni/TiY0.08D0.73/Mo和Ni/TiY0.13D0.78/Mo。结果表明,Y掺杂导致Ti薄膜的吸D浓度升高,且与Y的掺杂浓度呈正相关关系。
图6
图6
吸氘前TiY0.13及吸氘后TiY0.13D0.78样品的Rutherford背散射技术(RBS)测量-拟合谱
Fig.6
RBS experimental and simulated spectra of TiY0.13 before (a) and after (b) absorbing deuterium (RBS—Rutherford backscattering spectrometry; insets are the corresponding local enlargements of spectra)
图7
图7
吸氘后TiY0.13D0.78样品的弹性反冲分析(ERDA)测量-拟合谱
Fig.7
ERDA experimental and simulated spectra of TiY0.13D0.78 sample after absorbing deuterium (ERDA—elastic recoil detection analysis)
图8
图8
吸氘后不同Y含量的Ti薄膜中的D浓度分布
Fig.8
Depth profiles of D concentration in Ti films with Y concentration after absorbing deuterium (Dashed lines indicate estimated values)
表4 离子束分析测量吸氘前后的元素含量以及薄膜厚度
Table 4
Sample | Before/after hydrogenation | Thickness / (1015 atoms·cm-2) | Atomic fraction of Ti / % | Atomic fraction of Y / % | Atomic fraction of D / % | |
---|---|---|---|---|---|---|
Ni | Ti | |||||
Ti (TiD0.63) | Before | 57 | 7060 | 100 | 0 | 0 |
After | 50 | 11300 | 61.50 | 0 | 38.50 | |
TiY0.08 (TiY0.08D0.73) | Before | 48 | 7200 | 92.50 | 7.50 | 0 |
After | 45 | 12200 | 55.11 | 4.59 | 40.30 | |
TiY0.13 (TiY0.13D0.78) | Before | 50 | 6370 | 88.80 | 11.20 | 0 |
After | 45 | 10800 | 52.44 | 6.56 | 41.00 |
吸氘前后Ti与TiY0.08薄膜的GIXRD谱如图9所示。根据吸氘前的Ti与TiY0.08薄膜的GIXRD谱可知,通过磁控溅射方法得到的Ti薄膜为hcp结构的α-Ti相,掺入Y后,衍射峰的2θ向低角度发生移动,这意味着晶面间距(d)的增大。这是由于Y原子固溶在Ti晶格中引起的晶格膨胀,可以推测随着Y元素的掺杂浓度逐渐增大,衍射峰将向着更低角度移动,且将引起更大的晶格膨胀。掺Y后GIXRD谱中没有产生新的衍射峰,这表明Y原子大部分以固溶的方式存在于Ti晶粒内部。另外还可以看出,对于纯Ti薄膜,择优取向以(002)晶面为主,掺Y之后,Ti的(002)晶面衍射峰强度降低,(110)衍射峰几近消失。对于吸氘后的TiD0.63与TiY0.08D0.73薄膜,根据图9b可知,2种薄膜样品中形成了不同D/Ti比例的氘化物,不含Y的TiD0.63薄膜中同时存在α-Ti和TiD1.5的δ相(fcc)结构,而Y掺杂的TiY0.08D0.73以D/Ti比为1.5的δ相为主,但Y的加入使衍射峰向低角度发生较大的移动(特别是(111)峰)和严重的峰宽化现象,也即吸氘后的晶体结构发生了严重的畸变和结晶性下降现象,而且α-Ti相基本消失。
图9
图9
吸氘前Ti与TiY0.08薄膜及吸氘后TiD0.63与TiY0.08-D0.73薄膜的GIXRD谱
Fig.9
GIXRD spectra of Ti and TiY0.08 films before (a) and after (b) absorbing deuterium
XPS可以分析氘化后的样品近表面的Ti和Y的化学态。图10a为吸氘后样品TiD0.63与TiY0.13D0.78样品的XPS全扫谱,其中标出了O1s峰、Ti2p峰、C1s峰和Y3d峰。可以看出,通过Ar溅射去除Ni表面层后样品中几乎不含C杂质,2种样品都含有一定的O1s峰,说明即使样品制备时有Ni表面保护层,仍有O杂质进入Ti薄膜内,这可能是来源于磁控溅射真空腔室内壁中解吸出来的残余气体H2O和CO x,它们在等离子体的激发下与相对较活泼的Ti或Y发生反应后共同沉积到薄膜中,通过比较发现,含Y样品的O峰更强,说明Y与O有较强的结合作用,导致薄膜中的O分布比较集中,局部含量较高。根据图10b的TiY0.13D0.78中Y3d XPS窄扫谱的分峰拟合结果也能得到相同结论,Y3d的结合能分别为155.05 eV (3d 5/2)、157.10 eV (3d 3/2)、157.30 eV (3d 5/2)和159.35 eV (3d3/2),分别对应于Y—H(D)键的Y3d 5/2自旋轨道、Y3d 3/2自旋轨道,以及Y—O键的Y3d5/2自旋轨道和Y3d 3/2自旋轨道对应的结合能[38],其中Y—O键占比约90%,说明O比D更易与Y结合,从而形成Y2O3。2种氘化样品的Ti2p窄扫谱如图10c所示,分峰拟合后可以得到结合能,TiD0.63:453.36 eV (2p 3/2)、459.47 eV(2p 1/2),TiY0.13D0.78:453.83 eV (2p3/2)、459.84 eV (2p 1/2),均可对应于δ相氢化钛的2p轨道的结合能[39],说明吸氘后2种样品中都形成了δ相的氘化钛,这与GIXRD的结果一致,且通过比较这2个样品的Ti2p窄扫谱(图10c)发现,Y掺杂会导致Ti—D结合能升高,降低D原子的逃逸概率,增强Ti对D原子的束缚。
图10
图10
吸氘后TiD0.63与TiY0.13D0.78的XPS全扫谱,及TiY0.13D0.78中Y3d、TiD0.63与TiY0.13D0.78中Ti2p的XPS窄扫谱
Fig.10
XPS full scan spectra of TiD0.63 and TiY0.13D0.78 after absorbing deuterium (a), and XPS narrow scan spectra of Y3d in TiY0.13D0.78 (b) and Ti2p in TiD0.63 and TiY0.13D0.78 (c)
综合以上实验分析结果并结合第一性原理计算,Y掺杂对Ti吸氢特性的影响是:(1) Y本身与D的结合力比Ti更强,增强了整个体系对D原子的束缚,从而提高了D浓度;(2) Y对O具有很强的亲和力,能够形成Y2O3,降低了O在Ti中的浓度,促进更多的D进入晶格中,提高了吸氘量;(3) Y元素替位Ti原子后增加了与Y相邻Ti—D的键能,使D原子不易逃离,且在一定程度上降低了与Y距离较远的Ti周围D的扩散势垒,使D易于扩散到样品更深处,因此出现了Ti中D浓度随着Y浓度增加而增大的现象。
3.2 Y掺杂Ti薄膜的氘脱附特性
3.2.1 氢的热脱附解吸模型
对于薄膜样品,在热释放初期,体系主要以相变速率为关键控制步骤,Ti—H键(包含Y—H键)断裂,H从束缚态变为自由扩散态,此时扩散速率逐步增加,随着反应的进行,2种速率都会迅速降低,且根据前文DFT计算结果,TiH2中H结合能要高于最低扩散激活能,说明体系相变速率本质上要小于H扩散速率,因此本工作主要采用热脱附解吸模型对Ti-H体系进行建模。
氢的热脱附曲线由样品厚度、氢扩散、升温速率以及表观活化能等因素决定。在Fe、钢等非氢亲合性金属中,H通过占据点阵位置和缺陷(如空位、位错、晶界和相界面)而存在,因此在这类金属中,H解吸的表观活化能(EDe)定义为H与缺陷的结合能(Eb-HV)加扩散激活能(QD)减去鞍点能(
图11
图11
原子氢和分子氢在材料表面和体内的能态图
Fig.11
Energy states of atomic and molecular hydrogen on the surface and in the bulk of metal (
式中,R = 8.314 J/(mol·K)为气体常数,A是与TP和式EDe有关的常数。改变v,作
3.2.2 热脱附实验结果
分别对TiD0.63和TiY0.13D0.78样品进行不同升温速率的热脱附实验,所得热脱附谱中的D2信号如图12所示。结果显示,在相同升温速率下,含Y的Ti样品的脱附峰温度明显高于纯Ti样品,说明Y的存在使得Ti中的D更难脱附。根据
图12
图12
吸氘后样品的热脱附谱(仅展示D2信号)
Fig.12
Thermal desorption spectra of TiD0.63 (a) and TiY0.13D0.78 (b) samples after absorbing deuter-ium (only the D2 signal is shown)
图13
图13
TiD0.63和TiY0.13D0.78样品的升温速率与热脱附峰峰温的关系
Fig.13
Relationships between heating rate (v) and thermal desorption peak temperature (TP) of TiD0.63 and TiY0.13D0.78 (R2—goodness of fit)
4 结论
(1) 从实验和模拟2方面研究了Y掺杂Ti薄膜的吸放氢特性,结果表明,Y掺杂对Ti金属的吸氢特性有明显影响。吸氘后Ti薄膜中的D含量随着Y浓度的增加而增大,这是因为不仅替位Y能够结合更多的D,而且Y易于与O结合的特点可以降低Ti被毒化的程度,有利于体系吸氘;DFT计算表明Y的存在使得与Y相邻的Ti—H键增强,且产生了较强的Y—H键,导致H结合能和扩散势垒增大,从而使得Ti(Y)对H的束缚力增强,而对于与距Y较远的Ti晶格中H的结合能和扩散势垒,Y的作用则相反。
(2) Y掺杂能够影响Ti金属中D的升温热释放特性,提高D解吸的表观活化能。氘的脱附温度是由整个Ni/Ti-Y薄膜体系氘热脱附动力学决定,Y掺杂可能提高了整体Ti晶格的表观氘结合能和/或表观扩散激活能,且表面势垒对于Ti中D的脱附也具有重要影响。Y(Y2O3)对Ti薄膜吸放氢特性具有重要影响,能够有效提高Ti薄膜的吸氢能力,增加氢解吸的表观活化能。
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