金属学报  2006, Vol. 42 Issue (9): 971-973

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制备态FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜的巨磁阻抗效应

袁慧敏;姜山;王文静;颜世申;萧淑琴

山东大学物理与微电子学院; 济南 250100

GIANT MAGNETO-IMPEDANCE EFFECTS OF AS DEPOSITED FeZrBNi SANDWICHED FILMS

YUAN Huimin; JIANG Shan; WANG Wenjing; YAN Shishen;XIAO Shuqin

山东大学物理与微电子学院; 济南 250100

袁慧敏; 姜山; 王文静; 颜世申; 萧淑琴 . 制备态FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜的巨磁阻抗效应[J]. 金属学报, 2006, 42(9): 971-973 .
, , , , . GIANT MAGNETO-IMPEDANCE EFFECTS OF AS DEPOSITED FeZrBNi SANDWICHED FILMS[J]. Acta Metall Sin, 2006, 42(9): 971-973 .

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(131 KB)   摘要: 用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜, 对制备态样品进行了磁阻抗测量. 结果表明, 样品纵向和横向的最大磁阻抗比分别为18%和31%,取得最大阻抗比的频率分别为7和8 MHz; 在此频率下, 样品的纵向和横向相对磁导率比分别达到153%和5117%. 这表明掺Ni的FeZrB三层膜在制备态已具备优异的巨磁阻抗效应和软磁性能. 同时还分析了薄膜样品的电阻、电抗分量和有效磁导率随频率的变化关系. 关键词 ： 巨磁阻抗效应,  FeZrBNi三层膜,  掺杂     Abstract：Giant magneto-impedance (GMI) effects of FeZrBNi/Ag/FeZrBNi sandwiched films prepared by radio frequency sputtering on the substrate of single crystal Si have been measured. The maximum GMI ratios are 18% and 31% in longitudinal and transverse fields at 7 MHz and 8 MHz, respectively. Corresponding, the maximum effective susceptibility ratios are 153% (at 7 MHz) and 5117% (at 8 MHz) for longitudinal and transverse cases, respectively, indicating that the as-deposited FeZrBNi/Ag/FeZrBNi films have good sof magnetic properties and GMI effect. Key words： giant magneto-impedance (GMI) effect    FeZrBNi sandwiched film    doping 收稿日期: 2006-02-28      ZTFLH:  O482.54   服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 袁慧敏 姜山 王文静 颜世申 萧淑琴 44.8K 链接本文: https://www.ams.org.cn/CN/      或      https://www.ams.org.cn/CN/Y2006/V42/I9/971 [1]Mohri K,Kohzawa T,Kawashima K,Yoshida H,Panina L V.IEEE Trans Magn,1992;28:3150 [2]Suzuki K,Makino A,Inoue A,Masumoto T.J Appl Phys,1993;74:3316 [3]Kojima A,Makino A,Kawamura Y,Inoue A,Masumoto T.J Appl Phys,1996;35:L19 [4]Suzuki K,Makino A,Inoue A,Masumoto T.J Appl Phys,1991;70:6232 [5]Ye C Q,Yan B,Xu Z.Shanghai Nonferrous Met,2005;26:36(叶超群，严彪，徐政．上海有色金属，2005；26：36) [6]Li X D,Yuan W Z,Zhao Z J,Ruan J Z,Yang X L.Funct Mater,2004;35:686(李晓东，袁望治，赵振杰，阮建中，杨燮龙．功能材料，2004；35：686) [7]Hika K,Panina L V,Mohri K.IEEE Traus Magn,1996;32:4594 [8]Dai Y Y,Liu Y H,Xiao S Q,Zhang L,Wu H Z,Zhang Y Z.Acta Metall Sin,2001;37:277(代由勇，刘宜华，萧淑琴，张林，吴厚政，张延忠．金属学报，2001；37：277) [9]Chen W P,Xiao S Q,Wang W J,Liu Y H.Acta Metall Sin,2004;40:1295(陈卫平，萧淑琴，王文静，刘宜华．金属学报，2004；40：1295) [10]Yu J Q,Zhou Y,Cai B C,Zhao X L.Funct Mater,2001;32:136(禹金强，周勇，蔡炳初，赵小林．功能材料，2001；32：136)d [1] 王福容, 张永梅, 柏国宁, 郭庆伟, 赵宇宏. Al掺杂Mg/Mg2Sn合金界面的第一性原理计算[J]. 金属学报, 2023, 59(6): 812-820. [2] 毛斐, 吕皓, 唐法威, 郭凯, 刘东, 宋晓艳. Mn和In添加对SmCo7结构稳定性及磁矩影响的第一性原理计算[J]. 金属学报, 2021, 57(7): 948-958. [3] 杨莎莎,杨峰,陈明辉,牛云松,朱圣龙,王福会. N掺杂对磁控溅射Ta涂层微观结构与耐磨损性能的影响[J]. 金属学报, 2019, 55(3): 308-316. [4] 张世政,徐要辉,汪庭语,李锐星,才鸿年. In3+掺杂CeO2的固溶度及其储氧能力*[J]. 金属学报, 2016, 52(5): 607-613. [5] 单麟婷, 巴德纯, 曹青, 侯雪艳, 李建昌. Ce-Cu共掺杂对SnO2薄膜光电特性的影响*[J]. 金属学报, 2014, 50(1): 95-102. [6] 李泓霖，张仲，吕英波，黄金昭，刘如喜. Eu掺杂ZnO结构光电性质的第一性原理及实验研究[J]. 金属学报, 2013, 29(4): 506-512. [7] 周立颖，王福合. 点缺陷对γ－TiAl (100)表面O原子吸附和扩散影响的第一性原理研究[J]. 金属学报, 2013, 49(11): 1387-1391. [8] 厉英,丁玉石,崔绍刚,王常珍. 掺杂Sc的CaZrO3的制备及电学性能[J]. 金属学报, 2012, 48(5): 575-578. [9] 范永中 张淑娟 涂金伟 孙霞 刘芳 李明升. Si和Y掺杂对(Ti, Al)N涂层结构和性能的影响[J]. 金属学报, 2012, 48(1): 99-106. [10] 厉英 马北越 王臻明 姜茂发. Na1.4Co2O4基热电材料的溶胶-凝胶法制备及表征[J]. 金属学报, 2011, 47(1): 109-114. [11] 向鑫 陈长安 刘柯钊 罗丽珠 刘婷婷 王小英. C掺杂对Al中He行为的影响[J]. 金属学报, 2010, 46(3): 318-323. [12] 杨义勇 彭志坚 付志强 邬苏东 陈新春 王成彪. 多组分缓冲层W梯度掺杂DLC复合薄膜研究[J]. 金属学报, 2010, 46(1): 34-40. [13] 陈卫平 冯尚申 邵先亦 萧淑琴 刘宜华. 磁场沉积态FeCuCrVSiB薄膜的软磁特性和巨磁阻抗效应[J]. 金属学报, 2009, 45(5): 615-619. [14] 张静玉 刘庆峰 刘茜. Ti对Zn-Al合金薄膜耐腐蚀性能的影响[J]. 金属学报, 2009, 45(10): 1166-1170. [15] 王东; 史苍际; 刘春明; 王常珍 . CaZr0.9In0.1O3高温质子导体管的制备及性质表征[J]. 金属学报, 2008, 44(2): 177-182 . Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed