金属学报  2005, Vol. 41 Issue (10): 1087-1090

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低能离子束辅照对溅射镀TiN膜生长的影响

李铸国 华学明 吴毅雄 三宅正司

上海交通大学材料科学与工程学院; 上海 200030;近畿大学; 大阪 5778502; 日本

李铸国; 华学明; 吴毅雄; 三宅正司 . 低能离子束辅照对溅射镀TiN膜生长的影响[J]. 金属学报, 2005, 41(10): 1087-1090 .

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(176 KB)   摘要: 用诱导型等离子体辅助磁控溅射装置在Si(100)表面低温沉积TiN膜, 研究了高密度低能量(≈20 eV)离子束辅照对溅射镀TiN膜生长、结构和性能的影响。结果表明, 高密度低能离子束辅照会改变TiN膜的择优生长方向并使薄膜致密化。即使沉积温度低于150℃, 当入射基板离子数和Ti原子数的比值J/JTi≥4.7时, 沉积的TiN膜仍可具有完全的(200)面择优生长, 薄膜微观结构致密, 硬度达到25GPa, 残余压应力小。 关键词 ： TiN薄膜,  物理气相沉积(PVD),  择优取向     Key words： 收稿日期: 2005-04-06      ZTFLH:  TB383   服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 李铸国 华学明 吴毅雄 三宅正司 44.8K 链接本文: https://www.ams.org.cn/CN/Y2005/V41/I10/1087 [1] Lim J, Park H S, Park T H, Lee J J. J Vac Sci Technol,2000; A18: 524 [2] Hultman L, Hakansson G, Wahlstrom U, Sundgen J E,Petrov I, Adibi F, Greene J E. Thin Solid Films, 1991;205: 153 [3] Li Z G, Miyake S, Mori M. Jpn J Appl Phys, 2003; 42:7086 [4] Adibi F, Petrov I, Greene J E, Hultman L, Sundgren J E.J Appl Phys, 1993; 73: 8580 [5] Groudeva Z S, Kaltofen R, Sebald T. Surf Coat Technol, 2000; 127: 144 [6] Banerjee R, Chandra R, Ayyub P. Thin Solid Films, 2002;405: 64 [7] Karlsson L, Hultman L, Johansson M P, Sundgren J E,Ljungcrantz H. Surf Coat Technol, 2000; 126: 1 [8] Pelleg J, Zevin L Z, Lungo S, Croitoru N. Thin Solid Films, 1991; 197: 117 [9] Petrov L, Hultman L, Helmersson U, Sundgren J E, Greene J E. Thin Solid Films, 1989; 169: 299 [10] Hultman L, Sundgren J E, Greene J E, Bergstrom D B,Petrove I. J Appl Phys, 1995; 78: 5395 [11] Chun J S, Petrov I, Greene J E. J Appl Phys, 1999; 86:3633 [12] Greene J E, Sundgren J E, Hultman L, Petrov L,Bergstrom D B. Appl Phys Lett, 1995; 67: 2928 [13] Kamminga J D, De Keijser Th H, Delhez R, Mittemeijier E J. Thin Solid Films, 1998; 317: 169 [14] Kamminga J D, De Keijser Th H, Delhez R, Mittemeijier E J. J Appl Phys, 2000; 88: 6332 [15] Otano-Rivera W, Pilione L J, Zapien J A, Messier R. J Vac Sci Technol, 1998; A16: 1331' [1] 时惠英, 杨超, 蒋百灵, 黄蓓, 王迪. 双脉冲磁控溅射峰值靶电流密度对TiN薄膜结构与力学性能的影响[J]. 金属学报, 2018, 54(6): 927-934. [2] 李双明, 王斌强, 刘振鹏, 钟宏, 胡锐, 刘毅, 罗锡明. 高熔点金属Ir和Mo电子束区熔中不同取向晶体的竞争生长[J]. 金属学报, 2018, 54(10): 1435-1441. [3] 刘印,刘铁,王强,王慧敏,王丽,赫冀成. 强磁场热处理对TbFe2和Tb0.27Dy0.73Fe1.95合金晶体取向、微观形貌和磁致伸缩性能的影响[J]. 金属学报, 2013, 49(9): 1148-1152. [4] 刘庆华,黄裕金,刘剑,胡侨丹,李建国. Ni-Fe-Ga-Co磁性形状记忆合金定向凝固稳定生长区的组织及择优取向[J]. 金属学报, 2013, 29(4): 391-398. [5] 马天宇 ; 严密; 王庆伟 . <110>取向Tb--Dy--Fe--Co 合金棒的磁致伸缩均匀性[J]. 金属学报, 2007, 43(7): 688-692 . [6] 谢华; 刘剑; 霍颜秋; 李建国 . 定向凝固铁磁形状记忆合金Co-Ni-Ga的择优取向及其组织演化[J]. 金属学报, 2007, 43(4): 417-421 . [7] 黄辉; 朱明伟; 宫骏; 孙超; 姜辛 . 溶剂、溶胶稳定剂和热处理对溶胶--凝胶法制备的ZnO薄膜微观结构的影响[J]. 金属学报, 2007, 43(10): 1043-1047 . [8] 唐武; 徐可为; 王平; 李弦 . Au/NiCr/Ta多层金属膜择优取向与残余应力的关系[J]. 金属学报, 2002, 38(9): 932-935 . [9] 于利根;何家文;B.C.Hendrix. 择优取向对X射线应力测试的影响[J]. 金属学报, 1998, 34(6): 667-672. [10] 蒋成保;周寿增;张茂才;王润. 定向凝固TbDyFe合金的取向、组织和磁致伸缩性能[J]. 金属学报, 1998, 34(2): 164-170. [11] 傅恒志;何国;李建国. 单晶高温合金定向凝固过程中晶体竞争生长观察[J]. 金属学报, 1997, 33(12): 1233-1238. [12] 刘裕光;姜恩永;程启;孙长庆. 对向靶溅射TiN薄膜的结构和物性[J]. 金属学报, 1995, 31(13): 31-34. [13] 刘长清;李美栓;金柱京;吴维(山文). 精细TiN陶瓷薄膜的抗拉强度和界面结合强度[J]. 金属学报, 1992, 28(9): 91-94. [14] 郭成言;後藤孝;平井敏雄. 钢表面化学气相沉积TiC晶体的择优取向[J]. 金属学报, 1992, 28(7): 85-89. [15] 王曦;杨根庆;柳襄怀;郑志宏;黄巍;周祖尧;邹世昌. 氮气辅助氙离子束增强沉积TiN薄膜及其机械性能[J]. 金属学报, 1992, 28(3): 87-91. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed