Ce，Y-TZP陶瓷的室温至250℃内耗

金属学报

2003, Vol. 39

Issue (11): 1163-1166

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Ce，Y-TZP陶瓷的室温至250℃内耗

金学军; 赵诚; 张玉龙

上海交通大学材料科学与工程学院;上海200030

引用本文:

金学军; 赵诚; 张玉龙 . Ce，Y-TZP陶瓷的室温至250℃内耗[J]. 金属学报, 2003, 39(11): 1163-1166 .

全文: PDF(191 KB)

摘要: 测量了不同Y2O3稳定剂含量(摩尔分数分别为0．25％，0．50％和0．75％)对8Ce，Y-TZP陶瓷的室温至250℃内耗特征的影响．结果表明，Y2O3含量为0．25％时，晶体结构为单斜相，无内耗峰出现，内耗呈单调增加；而Y2O3含量为0．50％和0．75％时，晶体结构为四方相，在内耗-温度曲线上出现弛豫内耗峰，模量单调减小，峰值为10^-3--10^-2，峰位随测试频率增加向高温移动，弛豫时间符合Arrhenius关系，内耗峰的积分强度与稳定剂的含量(即Y^3+离子的浓度)成正比，该内耗峰起源于YZrVoe偶极子的再取向.

关键词 ：内耗, 陶瓷, Ce, Y—TZP陶瓷, 偶极子

Key words：

收稿日期: 2003-07-09

ZTFLH:

TG113.226

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