FeNiCrSiB／Cu／FeNiCrSiB膜的磁畴结构和巨磁阻抗效应

金属学报

2000, Vol. 36

Issue (5): 535-538

论文

本期目录 | 过刊浏览

FeNiCrSiB／Cu／FeNiCrSiB膜的磁畴结构和巨磁阻抗效应

刘德镇萧淑琴

山东工业大学材料科学与工程学院; 济南 250061

引用本文:

刘德镇; 萧淑琴 . FeNiCrSiB／Cu／FeNiCrSiB膜的磁畴结构和巨磁阻抗效应[J]. 金属学报, 2000, 36(5): 535-538 .

全文: PDF(165 KB)

摘要: 用高频溅射法制备了ＦｅＮｉＣｒＳｉＢ／Ｃｕ／ＦｅＮｉＣｒＳｉＢ膜, 经３５０℃退火２０ｍｉｎ后得到性能优良的巨大磁阻抗材料, 磁畴结构观察表明, 样品中心为均匀的细条畴靠近边缘, 磁畴方向转向横向, 这种畴结构有利于磁力线的闭合, 是获得显著的巨阻抗效应的重要原因之一, 磁阻抗测量表明, 样品在１３ＭＨＺ的频率下, 分别获得了６３％和７％的纵向和横向磁阻抗比.

关键词 ：巨磁阻抗效应, 磁畴结构, 软磁合金, 薄膜

Key words：

收稿日期: 1999-10-29

ZTFLH:

TM271.2 O484.1

	服务

	把本文推荐给朋友
	加入引用管理器
	E-mail Alert
	RSS
	作者相关文章
	刘德镇
	萧淑琴
44.8K

链接本文:

https://www.ams.org.cn/CN/Y2000/V36/I5/535

[1] Mohri K, Panina L V, Uchiyama T, Bushida K, Noda M.IEEE Trans Magn,1995;31:1266
[2] Panina L V,Mohri K,Uchiyama T,Noda M,Bushida K.IEEE Trans Magn,1995;31:1249
[3] Sommer R L,Chien C L.Appl Phys Lett,1995;67:3346
[4] Chen C, Luan K Z, Liu Y H, Mei L M,Guo H Q,Shen BG,Zhao J G.Phys Rev,1996;B54:6092
[5] Hika K,Panina L V,Mohri K.IEEE Trans Magn,1996;32:4594
[6] Antonov A,Gadetsky S,Granovsky A,D'yatckov A,Se-dova M,Percv N,Usov N,Furmanova T,Lagar'kov A.Physica,1997;A241:414
[7] Beach R S,Berkowitz A E.J Appl Phys,1994; 76: 6209
[8] Ku W J, Ge F D, Zhu J. J Appl Phys, 1997; 82: 5050

[1]	任师浩, 刘永利, 孟凡顺, 祁阳. 应变工程中Bi(111)薄膜的半导体-半金属转变及其机理[J]. 金属学报, 2022, 58(7): 911-920.
[2]	邱龙时, 赵婧, 潘晓龙, 田丰. 高速钢表面TiN薄膜的界面疲劳剥落行为[J]. 金属学报, 2021, 57(8): 1039-1047.
[3]	曹庆平, 吕林波, 王晓东, 蒋建中. 物理气相沉积制备金属玻璃薄膜及其力学性能的样品尺寸效应[J]. 金属学报, 2021, 57(4): 473-490.
[4]	郑晓航, 宁睿, 段佳彤, 蔡伟. Ti₇₀_-_xTa₁₅Zr₁₅Fe_x (x=0.3、0.6、1.0)形状记忆合金薄膜的马氏体相变与阻尼行为[J]. 金属学报, 2020, 56(12): 1690-1696.
[5]	李长记,邹敏杰,张磊,王元明,王甦程. 外延膜的高分辨X射线衍射分析[J]. 金属学报, 2020, 56(1): 99-111.
[6]	储双杰,杨勇杰,和正华,沙玉辉,左良. 基于磁畴结构交互作用的激光刻痕取向硅钢磁致伸缩系数计算[J]. 金属学报, 2019, 55(3): 362-368.
[7]	何东昱,刘玉欣. 0.8PbTiO₃-0.2Bi(Mg_0.5Ti_0.5)O₃铁电薄膜90°分步畴转与温度效应[J]. 金属学报, 2019, 55(3): 325-331.
[8]	吴厚朴,田修波,张新宇,巩春志. 双脉冲HiPIMS放电特性及CrN薄膜高速率沉积[J]. 金属学报, 2019, 55(3): 299-307.
[9]	宋贵宏,李贵鹏,刘倩男,杜昊,胡方. 溅射沉积Mg₂(Sn, Si)薄膜组织结构与导电性能[J]. 金属学报, 2019, 55(11): 1469-1476.
[10]	何贤美, 童六牛, 高成, 王毅超. Nd含量对磁控溅射Si(111)/Cr/Nd-Co/Cr薄膜结构与磁性的影响[J]. 金属学报, 2019, 55(10): 1349-1358.
[11]	马晓琴, 詹清峰, 李金财, 刘青芳, 王保敏, 李润伟. 倾斜溅射对CoFeB薄膜条纹磁畴结构与磁各向异性的影响[J]. 金属学报, 2018, 54(9): 1281-1288.
[12]	于晓明, 谭丽丽, 刘宗元, 杨柯, 朱忠林, 李扬德. Ti6Al4V表面生物功能纯Mg薄膜制备及性能研究[J]. 金属学报, 2018, 54(6): 943-949.
[13]	董彩虹, 刘永利, 祁阳. 厚度对Bi薄膜表面特性和电学性质的影响[J]. 金属学报, 2018, 54(6): 935-942.
[14]	时惠英, 杨超, 蒋百灵, 黄蓓, 王迪. 双脉冲磁控溅射峰值靶电流密度对TiN薄膜结构与力学性能的影响[J]. 金属学报, 2018, 54(6): 927-934.
[15]	孙亚超, 朱明刚, 韩瑞, 石晓宁, 俞能君, 宋利伟, 李卫. 各向异性稀土永磁薄膜的磁黏滞性[J]. 金属学报, 2018, 54(3): 457-462.

Viewed

Full text

Abstract

Cited

Shared

Discussed