高密度脉冲电流对Cu单晶体驻留滑移带的影响

金属学报

2000, Vol. 36

Issue (12): 1237-1239

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高密度脉冲电流对Cu单晶体驻留滑移带的影响

肖素红吴世丁

中国科学院金属研究所;沈阳 110015

引用本文:

肖素红; 吴世丁 . 高密度脉冲电流对Cu单晶体驻留滑移带的影响[J]. 金属学报, 2000, 36(12): 1237-1239 .

全文: PDF(162 KB)

摘要: 对含驻留滑移带（ＰＳＢ）的「１２３」取向的疲劳Ｃｕ单晶体, 进行了高密度脉冲电流处理, 结果表明, 高密度脉冲电流处理产生的热压应力改善了ＰＳＢ－基体界面的应力集中状态, 使驻留滑移带局部消失, 理论计算同时表明, 高密度脉冲电流处理能提高Ｃｕ单晶疲劳寿命.

关键词 ：驻留滑移带, 脉冲电流

Key words：

收稿日期: 2000-03-21

ZTFLH:

TG146.11

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