Please wait a minute...
金属学报  1998, Vol. 34 Issue (4): 406-411    
  论文 本期目录 | 过刊浏览 |
低温热处理CoN/CN软X射线多层膜的界面互扩散研究
白海力;姜恩永
天津大学应用物理学系;天津;300072;天津大学应用物理学系;天津;300072
INTERDIFFUSION IN LOW TEMPERATURE ANNEALED CoN/CN SOFT X-RAY MULTILAYER MIRRORS
BAI Haili; JIANG Enyong (Department of Applied Physics; Tianjin University; Tianjin 300072)
引用本文:

白海力;姜恩永. 低温热处理CoN/CN软X射线多层膜的界面互扩散研究[J]. 金属学报, 1998, 34(4): 406-411.
, . INTERDIFFUSION IN LOW TEMPERATURE ANNEALED CoN/CN SOFT X-RAY MULTILAYER MIRRORS[J]. Acta Metall Sin, 1998, 34(4): 406-411.

全文: PDF(492 KB)  
摘要: 在473—523K的低温退火条件下,通过对CoN/CN软X射线多层膜一级调制峰强度增强的定量观测,研究了CoN/CN软X射线多层膜的界面互扩散行为,并测得低至10-25m2s-1的有效扩散系数通过和Co/C多层膜的结果相比较,发现N掺杂使CoN/CN软X射线多层膜的界面互扩散行为明显不同于Co/C多层膜,并具有如下特点:(1)有效扩散系数和宏观扩散系数较小;(2)扩散激活能较大;(3)临界波长相等Co—N,C—N之间存在的强化学键以及N原子的填隙,减小了结构弛豫和界面扩散这表明通过N掺杂有希望改善Co/C软X射线多层膜的结构热稳定性.
关键词 软X射线多层膜掺杂有效扩散系数临界波长    
Abstract:The interdiffusion in the amorphous CoN/CN soft X-ray multilayer is investigated quantitatively by monitoring the enhancement of the first order modulation peak onannealing in the temperature range of 473-523 K. The effective interdiffusion coefficient measured is as low as 10-25m2s-1. The comparison with the results of Co/C system indicates that the following three features are noticeable: (1) the critical wavelengths of interdiffusion obtained are 2.00-2.04 nm at temperatures ranging from 473 to 523 K and equal to those of Co/C multilayers within the experimental error, indicating that the interdiffosion behaviour in the CoN/CNmultilayers still depends on the thermodynamic properties of the Co--C system, (2) the effectiveinterdffesivities and macroscopic diffusion coefficiellts are lower, and (3) the activation energy ofdiction is higher. The results imply that it is possible to improve the thermal stability of Co/Cmultilayer by doping with nitrogen.
Key wordssoft X-ray    multilayer    interdiffusivity    doping
收稿日期: 1998-04-18     
基金资助:国家自然科学基金!59672O24;;国家教委博士点基金!D096006;;北京中关村地区联合分析测试中心资助项目
1 Bai H L, Jiang E Y, Wang C D. Thin Solid Filme, 1996; 286: 176
2 Greer A L, Spapan F. In: Chang L L, Giessen B C eds., Synthetic Modulation Structures. New York: Academic Press, 1985: 424
3 Jiang Xiaoming, Xian Dingchang, Wu Ziqin. Appl Phys Lett, 1990; 57: 2549
4 Sasanuma Y, Uchida M, Okada K, Yamamoto K, Kitano Y, Ishitani A. Thin Solid Films, 1991; 203: 113
5 Sasanuma Y, Nakayama K. Thin Solid Filme, 1994; 247: 24
6 Johansson B, Martensson N. Phys Rev, 1980; 21B: 4427
7 Steiner P, Hufner S, Martensson N, Johansson B. Solid State Commun, 1981; 37: 73
8 Miedema A R, de Chatel P F, de Boer F R. Physica, 1980; 100B: 1
9 Miedema A R. J Less-Common Met, 1976; 46: 67
10 Niessen A K, Miedema A R, de Beer F R, Boom R. Physica, 1988; 151B: 401+
[1] 王福容, 张永梅, 柏国宁, 郭庆伟, 赵宇宏. Al掺杂Mg/Mg2Sn合金界面的第一性原理计算[J]. 金属学报, 2023, 59(6): 812-820.
[2] 毛斐, 吕皓, 唐法威, 郭凯, 刘东, 宋晓艳. MnIn添加对SmCo7结构稳定性及磁矩影响的第一性原理计算[J]. 金属学报, 2021, 57(7): 948-958.
[3] 杨莎莎,杨峰,陈明辉,牛云松,朱圣龙,王福会. N掺杂对磁控溅射Ta涂层微观结构与耐磨损性能的影响[J]. 金属学报, 2019, 55(3): 308-316.
[4] 张世政,徐要辉,汪庭语,李锐星,才鸿年. In3+掺杂CeO2的固溶度及其储氧能力*[J]. 金属学报, 2016, 52(5): 607-613.
[5] 单麟婷, 巴德纯, 曹青, 侯雪艳, 李建昌. Ce-Cu共掺杂对SnO2薄膜光电特性的影响*[J]. 金属学报, 2014, 50(1): 95-102.
[6] 李泓霖,张仲,吕英波,黄金昭,刘如喜. Eu掺杂ZnO结构光电性质的第一性原理及实验研究[J]. 金属学报, 2013, 29(4): 506-512.
[7] 周立颖,王福合. 点缺陷对γ-TiAl (100)表面O原子吸附和扩散影响的第一性原理研究[J]. 金属学报, 2013, 49(11): 1387-1391.
[8] 厉英,丁玉石,崔绍刚,王常珍. 掺杂Sc的CaZrO3的制备及电学性能[J]. 金属学报, 2012, 48(5): 575-578.
[9] 范永中 张淑娟 涂金伟 孙霞 刘芳 李明升. Si和Y掺杂对(Ti, Al)N涂层结构和性能的影响[J]. 金属学报, 2012, 48(1): 99-106.
[10] 厉英 马北越 王臻明 姜茂发. Na1.4Co2O4基热电材料的溶胶-凝胶法制备及表征[J]. 金属学报, 2011, 47(1): 109-114.
[11] 向鑫 陈长安 刘柯钊 罗丽珠 刘婷婷 王小英. C掺杂对Al中He行为的影响[J]. 金属学报, 2010, 46(3): 318-323.
[12] 杨义勇 彭志坚 付志强 邬苏东 陈新春 王成彪. 多组分缓冲层W梯度掺杂DLC复合薄膜研究[J]. 金属学报, 2010, 46(1): 34-40.
[13] 张静玉 刘庆峰 刘茜. Ti对Zn-Al合金薄膜耐腐蚀性能的影响[J]. 金属学报, 2009, 45(10): 1166-1170.
[14] 王东; 史苍际; 刘春明; 王常珍 . CaZr0.9In0.1O3高温质子导体管的制备及性质表征[J]. 金属学报, 2008, 44(2): 177-182 .
[15] 张霞; 孟皓; 孙挺 . Fe3+/TiO2复合纳米粒子的制备及可见光响应性能[J]. 金属学报, 2008, 44(11): 1394-1398 .