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1982年, 第18卷, 第6期 刊出日期:1982-06-18
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冷却速度和变质剂添加浓度对Al-Si共晶合金变质作用的影响
郑朝贵;姚连克;张启运
金属学报. 1982, 18 (6): 661-670.
借助显微结构法系统地研究了Li,Na,K,Mg,Ca,Sr,Ba,La,Sm,Y,Sb和Bi等12个微量元素对Al-Si共晶合金的变质作用。考祭了各变质剂在不同冷却速度下的变质浓度范围以及在添加变质剂浓度相同时,不同冷却速度对Al-Si共晶合金显微结构的影响,发现各种变质元素对Al-Si合金变质时均具有一变质临界冷却速度v_c。冷却速度低于此值时,任何浓度的变质剂均不能引起合金的变质。变质剂的v_c值愈低,变质能力愈强。其中以Na、K、Sr和La变质能力最强,其v_c值均低于40℃/min。据此认为v_c可作为评价变质剂变质能力的定量标准。
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单晶体LAUE照相和电子衍射谱的分析方法
潘金生
金属学报. 1982, 18 (6): 703-712.
本文提出了一种分析单晶体Laue照相和电子衍射谱的新方法,即旋转倒易坐标系法。它是在心射投影的基础上利用电子计算机旋转倒易坐标系,以标定衍射斑点和确定单晶取向。基于这个原理编排了计算机程序(采用BASIC语言),并用来进行了以下四方面工作:(1)标注了若干立方、六方、正方、菱方和斜方等晶体的Laue照片,同时求出晶体取向、滑移面或孪生面指数,以及切割给定取向的晶体所需的转角等。(2)标注了若干未知晶体的Laue照片。进而确定了未知晶体(X射线晶体化学分析)。(3)标定了若干立方、六方和斜方晶体的电子衍射谱,鉴定了若干未知晶体,并求得了孪晶和基体的取向关系。(4)利用计算机自动绘制了若干极射和心射标准投影,模拟绘制了各类晶体的Laue照片和电子衍射谱,同时还作出了冷轧铝板的{111}极图。旋转倒易坐标系法的主要优点是普遍、可靠、迅速、准确和高度自动化。在此基础上有可能发展为能同时记录和分析衍射谱、自动鉴别晶体和自动切割晶体的全自动晶体分析方法,以取代目前的Laue照相法。
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体心立方金属的蚀坑性质及其晶体位向的定量分析技术
廖乾初;王鸿君;王云;蓝芬兰
金属学报. 1982, 18 (6): 713-725.
借助于金相显微镜和扫描电镜,探讨了bcc金属中蚀坑形状和晶粒位向的关系。晶粒的位向采用扫描电镜电子通道花样技术确定,实验结果表示在单位赤面投影三角形中。 采用矢量分析和坐标变换方法,推导了一组描述蚀坑形状和晶粒位向的关系式,并用理论计算数据制成图表。应用这些图表,可以迅速地确定晶粒位向。 因为蚀坑形状是以方位角(θ,φ)的连续函数来描述,故晶粒位向的分析结果可直接表示在单位赤面投影三角形中,且易于确定晶界的变换矩阵。 应用本文的蚀坑分析技术,曾对一些冶金问题进行了探讨。
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一个研究非晶磁性合金晶化过程的有效参量——反常Hall系数
陈世林;支起铮;孙庭烈
金属学报. 1982, 18 (6): 752-754.
<正> 本工作研究不同退火温度的Fe_(62) Ni_(16)Si_8 B_(14), Fe_(40)Ni_(40) P_(12)B_8, Fe_(7.8)Co_(46.8)Ni_(23.4)Si_8B_(14)非晶磁性合金的Hall效应和电阻率ρ,发现这三种合金由非晶态向晶态转变时,反常Hall系数R_1和电阻率ρ发生变化,但R_1的相对变化较之ρ的相对变化大。 实验证明,磁性材料的Hall电阻率ρ_H为: ρ_H=V_Hd/I=R_0B_e+4πR_sM式中R_0和R_s为正常和自发Hall系数,V_H为Hall电压,d和M为试样的厚度和磁化强度,B_e为外磁场,I为通过试样的电流。第一项是传导电子在磁场作用下由Lorentz力引起的正常Hall效应,第二项是传导电子在自旋-轨道耦合作用下由偏散射和旁跳
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