金属学报  2003, Vol. 39 Issue (3): 332-336

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透明导电薄膜ZnO:Al(ZAO) 的性能及其在有机发光二极管中的应用

曹鸿涛 裴志亮 孙超

中国科学院金属研究所 110016

曹鸿涛; 裴志亮; 孙超 . 透明导电薄膜ZnO:Al(ZAO) 的性能及其在有机发光二极管中的应用[J]. 金属学报, 2003, 39(3): 332-336 .

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(189 KB)   摘要: 研究了ZAO透明导电薄膜的微观组织结构、化学成分及其电学光学特性。结果表明，多晶ZAO薄膜呈柱状晶并具有（002）面择优取向，c轴晶格常数大于0.52000nm;ZAO薄膜不同微区之间的成分不均匀导致了电学性能的不均匀;ZAO薄膜的电阻率和在可见光区的平均透射率分别为1.39×10-4 Ω•cm和80.8%,其透射率和吸收率曲线均具有明显的波动性,该波动性影响以ZAO为阳性的有机发光二极管的发射光谱,在5.38A/m2 电流密度下二极管的发光效率大于2 cd/A. 关键词 ： ZnO,  Al薄膜,  电学、光学性能     Key words： 收稿日期: 2002-05-31      ZTFLH:  O484.4   服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 曹鸿涛 裴志亮 孙超 44.8K 链接本文: https://www.ams.org.cn/CN/Y2003/V39/I3/332 [1] Kim J S, Granstrom M, Friend R H, Johansson N, Sala-neck W R, Daik R, Feast W J, Cacialli F. J Appl Phys,1998; 84: 6859 [2] Tabuchi K, Wenas W W, Yamada A, Konagai M, Kaka-hashi K. Jpn J Appl Phys, 1993; 32: 3764 [3] Lampe U, Muller J. Sensors Actuators, 1989; 18: 269 [4] Tang C W, Vanslyke S A. Appl Phys Lett, 1987; 51: 913 [5] Sheats J R, Antoniadis H, Hueschen M, Lenonard W,Miller J, Moon R, Roitman D, Stocking A. Science, 1996;273: 884 [6] Chen M, Pei Z L, Wang X, Yu Y H, Liu X H, Sun C, WenL S. J Phys D: Appl Phys, 2000; 33: 2538 [7] Ellmer K. J Phys D: Appl Phys, 2001; 34: 3097 [8] Pei Z L, Sun C, Tan M H, Xiao J Q, Guan D H, HuangR F, Wen L S. J Appl Phys, 2001; 90: 3432 [9] Park G S, Kwon J K. J Mater Sci: Mater Electro, 2001;12: 497 [10] Liao L S, Miao X Y, Zhou X, Xiong Z H, He J, Deng ZB, Hou X Y. Progr Nat Sci, 1999; 9: 84 (廖良生,缪熙月,周翔,熊祖洪,何均,邓振波,侯晓远.自然科学进展,1999;9:84) [11] Jiang X, Jia G L, Szyszka B. Appl Phys Lett, 2002; 80:3090 [12] Lee Y E, Kim Y J, Kim H J. J Mater Res, 1998; 13: 1260 [13] Chen M, Bai X D, Huang R F, Wen L S. Chin J Semi-conduct, 2000; 21: 394(陈猛,白雪冬,黄荣芳,闻立时.半导体学报, 2000;21:394) [14] Tominaga K, Sueyoshi Y, Munfei C, Shintani Y. Jpn JAppl Phys, 1993; 32: 4131 [15] Kim H, Pique A, Horwitz J S, Murata H, Kafafi Z H,Gilmore C M, Chrisey D B. Thin Solid Films, 2000; 377-378: 798 [16] Chen M, Pei Z L, Wang X, Sun C, Wen L S. J Vac SciTechnol, 2001; 19A: 963 [17] Gupta T K. J Am Ceram Soc, 1990; 73: 1817 [18] Karasawa T, Miyata Y. Thin Solid Films, 1993; 223: 135 [19] Shirota Y, Kuwabara Y, Inada H, Wakimoto T, NakadaH, Yonemoto Y, Kawami S, Imai K. Appl Phys Lett, 1994;65: 807 [1] 陈育秋, 祖亚培, 宫骏, 孙超, 王晨. Al薄膜对玻璃纤维增强树脂基复合材料电磁性能的影响[J]. 金属学报, 2017, 53(11): 1511-1520. [2] 李晓雁. 纳米晶Al薄膜Bauschinger效应的分子动力学模拟*[J]. 金属学报, 2014, 50(2): 219-225. [3] 李国建, 王振, 王强, 王慧敏, 杜娇娇, 马永会, 赫冀成. 强磁场作用时间对氧化法制备的Co掺杂ZnO薄膜微观结构和光学性能的影响[J]. 金属学报, 2014, 50(12): 1538-1542. [4] 王晓红,谢文静,郝臣,张鹏飞,傅小奇,司乃潮. 木素磺酸钙模板法液相合成花簇状ZnO及其光催化性能[J]. 金属学报, 2013, 49(9): 1098-1104. [5] 李泓霖，张仲，吕英波，黄金昭，刘如喜. Eu掺杂ZnO结构光电性质的第一性原理及实验研究[J]. 金属学报, 2013, 29(4): 506-512. [6] 黎军顽 倪玉山 林逸汉 罗诚 江五贵. Al薄膜纳米压痕过程的多尺度模拟[J]. 金属学报, 2009, 45(2): 129-136. [7] 彭志坚; 杨义勇; 王成彪; 付志强 . Bi2O3与Sb2O3掺杂对ZnO力学性能的影响[J]. 金属学报, 2008, 44(10): 1265-1270 . [8] 周宏明; 易丹青; 余志明; 肖来荣; 李荐; 王斌 . 溶胶-凝胶法制备的ZnO∶Al薄膜的微观结构及光学、电学性能[J]. 金属学报, 2006, 42(5): 505-510 . [9] 裴志亮; 谭明晖 . 透明导电氧化物ZnO：Al（ZAO）薄膜的研究[J]. 金属学报, 2000, 36(1): 72-76 . [10] 黄可龙;彭斌;潘春跃. ZnO压敏陶瓷的制备及电性[J]. 金属学报, 1998, 34(7): 774-778. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed