金属学报  1995, Vol. 31 Issue (23): 489-492

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室温低压下脉冲等离子体生长立方氮化硼薄膜

阎鹏勋;杨思泽;孙牧;任育峰;李兵;陈熙琛

中国科学院物理研究所

PULSED PLASMA PRODUCTION OF c-BN THIN FILMS AT ROOM TEMPERATURE AND LOW PRESSURE

YAN Pengxun;YANG Size;SUN Mu;REN Yufeng;LI Bing;CHEN Xichen(Institute of Physics; Chinese Academy of Sciences;Beijing 100080)(Manuscript received 1995-03-17;in revised form 1995-06-19)

阎鹏勋;杨思泽;孙牧;任育峰;李兵;陈熙琛. 室温低压下脉冲等离子体生长立方氮化硼薄膜[J]. 金属学报, 1995, 31(23): 489-492.
, , , , , . PULSED PLASMA PRODUCTION OF c-BN THIN FILMS AT ROOM TEMPERATURE AND LOW PRESSURE[J]. Acta Metall Sin, 1995, 31(23): 489-492.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(332 KB)   摘要: 运用脉冲高能量密度等离子体，在室温下制成立方氮化硼薄膜．沉积薄膜的衬底材料分别选用单晶硅、氯化钠和ＧＣｒ１５轴承钢，用扫描电镜、透射电镜、红外吸收谱仪、扫描Ａｕｇｅｒ微探针等对沉积的薄膜进行了分析与测试，结果表明，氮化硼薄膜的结构及性质强烈地依赖于实验条件．分析表明立方氮化硼晶核的形成与衬底材料关系不大，但晶核的生长则部分地依赖于衬底． 关键词 ： 脉冲等离子体,  立方氮化硼,  室温     Abstract：Using pulsed plasma technique the cubic boron nitride thin films has been produced on the single silicon,NaCl or GCr15 bearing steel substrate at room temperatureand low pressure.The SEM,TEM,IR,AES,microhardness tester and scratching tester were used to examine the properties and structure of boron nitride thin films on the surface of various substrates.The results show that the structure of BN thin films strongly depends on the experimental conditions, the formation of the nuclei has no relationship with substrate materials,but growth of the nuclei depends on the substrate partly. Key words： pulsed plasma    c-BN thin films    room temperature      服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 阎鹏勋 杨思泽 孙牧 任育峰 李兵 陈熙琛 44.8K 链接本文: https://www.ams.org.cn/CN/      或      https://www.ams.org.cn/CN/Y1995/V31/I23/489 1WentorfRH．JChemPhys,1957;26:9562WeissmentelC．JVacSciTechnol．1981;18:1793TakahashiH,ItohH,TaheuchiA．JCrystGrowth,1979;47:2454OkamotoM,UtsumiY,OsakaY．JpnJApplPhys．1990;29:L10045ShunfieldS,WolfsonR．JVacSciTechnol,1983;41:3236FriedmannTA,McCartgKF,KlausEJ,BoehmeD．ApplPhysLett．1992;61:24067吴成,江德仪,袁定朴,杨思泽,沈志刚,李椿萱．核裂变与等离子体物理,1989;9:1788阎鹏勋,杨思泽,李兵,陈熙琛．科学通报,1994;39:15479YanPX,YangSZ,YangJ,LiQ,LiB．ChinPhysLett,1994;11:55810YanPX,YangSZ,LiB,ChenXC,NuclInstrumMethodsPhysRes,1994;B95:55 [1] 耿遥祥,特古斯,汪海斌,董闯,王宇鑫. Sn的加入对MnFe(P, Si)合金显微组织和磁性的影响[J]. 金属学报, 2017, 53(1): 77-82. [2] 杨亮,高叔博,王艳丽,叶腾,宋霖,林均品. Si对高Nb-TiAl合金组织及室温拉伸性能的影响*[J]. 金属学报, 2015, 51(7): 859-865. [3] 朱春雷, 李胜, 李海昭, 张继. 750 ℃热暴露对定向层片组织铸造TiAl合金室温拉伸塑性的影响[J]. 金属学报, 2014, 50(12): 1478-1484. [4] 李海昭,张继. Al含量对高Nb铸造TiAl合金高温强度和室温塑性的影响[J]. 金属学报, 2013, 49(11): 1423-1427. [5] 崔崇亮,朱天龙,冷哲,巫瑞智,张景怀,张密林. 复合添加Y和Nd对Mg-Li合金显微组织及室温压缩织构的影响[J]. 金属学报, 2012, 48(6): 725-732. [6] 高茜 孙本哲 祁阳 齐连仲. 溶胶--凝胶法制备的Zn1-xCoxO晶体粉末的结构和磁性行为[J]. 金属学报, 2011, 47(3): 337-343. [7] 聂德福 赵杰 张俊善. 一种估算结构钢室温蠕变的方法[J]. 金属学报, 2011, 47(2): 179-184. [8] 张桂凯 李炬 陈长安 窦三平 凌国平. HR--2不锈钢表面渗Al涂层的制备[J]. 金属学报, 2009, 45(8): 983-987. [9] 董亚伟 康国政 刘宇杰 王弘 程晓娟. 室温下20钢高周次单轴棘轮行为的实验研究[J]. 金属学报, 2009, 45(7): 826-829. [10] NIE Defu ZHAO Jie. 相续室温蠕变中屈服强度附近的应力应变行为[J]. 金属学报, 2009, 45(7): 840-843. [11] 季刚; 张云鹏; 颜世申; 梅良模; 张泽 . 氧分压对Zn 1-xCo xO 1-δ磁性半导体磁特性的调控作用[J]. 金属学报, 2008, 44(11): 1399-1403 . [12] 崔玉友; 项宏福; 贾清; 杨锐 . 热暴露对铸造Ti-47Al-2Cr-2Nb-0.15B合金的拉伸和疲劳性能的影响[J]. 金属学报, 2005, 41(1): 108-. [13] 徐颂波;陈俊明. Mg,RE复合微合金化提高Ni_3Al(B)-Cr基合金的室温塑性[J]. 金属学报, 1994, 30(5): 221-224. [14] 谷飙;褚武扬;褚维;乔利杰;肖纪美. 阳极溶解对黄铜室温蠕变的促进作用[J]. 金属学报, 1994, 30(5): 232-238. [15] 阎鹏勋;杨思泽;陈熙琛. 脉冲高能量密度等离子体沉积氮化钛膜的结合强度[J]. 金属学报, 1994, 30(23): 503-507. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed