金属学报  2007, Vol. 43 Issue (6): 599-602

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NiFe薄膜AMR元件中非均匀退磁场和宽度的相关性

张 辉 滕 蛟 于广华 吴杏芳 朱逢吾

北京科技大学材料物理系; 北京 100083

张辉; 滕蛟; 于广华; 吴杏芳; 朱逢吾 . NiFe薄膜AMR元件中非均匀退磁场和宽度的相关性[J]. 金属学报, 2007, 43(6): 599-602 .

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(133 KB)   摘要: 采用磁控溅射制备了NiFe各向异性磁电阻（AMR）薄膜，经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制制成了厚度t＝20nm、长度l=2.5mm，宽度w分别为50μm、20μm、10μm、5μm、3μm的AMR元件。测量了AMR元件的磁电阻效应。考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性，计算了磁电阻比率。结果表明，宽度决定了AMR元件中的退磁场分布和边缘退磁场的大小，直接影响着AMR元件的磁化反转过程。宽度越小，元件中的边缘退磁场越大，在外磁场下的磁化反转也越困难。在磁化反转过程中，磁化反转先从中心开始，逐渐扩展到边缘。 关键词 ： 各向异性磁电阻,  AMR元件,  非均匀退磁场,  磁化     Abstract：NiFe anisotropic magnetoresistive thin films were prepared by magnetron sputtering. AMR elements with thickness of 20 nm, length of 2.5 mm, and widths of 50, 20μm, 10μm, 5μm and 3μm, were patterned by using optical lithography and ion etching. The magnetoresistance effects of AMR elements were studied. Taking into account the non-uniform demagnetizing field along the width of AMR elements, magnetoresistance ratio was numerically obtained. The results have shown that the distribution of demagnetizing field and edge demagnetizing field depend on the width, which directly affect the magnetization switch. For smaller width, the edge demagnetizing field is stronger, which makes the magnetization switch more difficult. The magnetization switch in the center of AMR element first started, and ended in the edge. Key words： Anisotropic Magnetoresistance    AMR Element    Non-uniform Demagnetizing field    Magnetization Switch 收稿日期: 2006-09-20      ZTFLH:  TP211   服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 张辉 滕蛟 于广华 吴杏芳 朱逢吾 44.8K 链接本文: https://www.ams.org.cn/CN/Y2007/V43/I6/599 [1]Hunt R P A.IEEE Trans Magn,1971;MAG-7:150 [2]Thompson D A,Romankiw L T,Mayadas A F.IEEE Trans Magn,1975;MAG-11:1039 [3]Kwiatkowski W,Tumanski S.J Phys,1986;19E:502 [4]Hu (Ben) H L,Kochan Ju,Han C C,Chabbra D,Guo Y M,Horng C,Chang J W,Torng T,Yeh G,Brij B,Mal- hotra S,Jiang Z G,Ming M Y,Sullivan M,Chao J.IEEE Trans Magn,1999;35:683 [5]Fluitman J H J.Thin Solid Films,1973;16:269 [6]Anderson R L,Bajorek C H,Thompson D A.AIP Conf Proc,1972;10:1445 [7]Gasselman T N,Hanka S A.IEEE Trans Magn,1980; MAG-16:461 [8]Collins A J,Jones R M.IERE Conf Proc,1979;49:1 [9]Mcguire T R,Potter R I.IEEE Trans Magn,1975;MAG- 11:1018 [10]Mapps D J.Sens Actuators,1997;59A:9 [1] 马利平, 梁志强, 王西彬, 赵文祥, 焦黎, 刘志兵. 脉冲磁化处理对M42高速钢刀具组织和力学性能的影响[J]. 金属学报, 2015, 51(3): 307-314. [2] 张昌盛 马天宇 严密 裴永茂 高旭 . <110>取向Tb0.36Dy0.64(Fe0.85Co0.15)2合金的磁机械阻尼特性[J]. 金属学报, 2009, 45(6): 749-753. [3] 郑斌 周伟 王轶农 齐民. Landau理论研究TiNi顺磁合金热/强磁场耦合下的马氏体相变[J]. 金属学报, 2009, 45(1): 37-42. [4] 王立锦; 张辉; 滕蛟; 朱逢吾 . Ta种子层对Ni65Co35薄膜微结构和磁性的影响[J]. 金属学报, 2006, 42(9): 979-982 . [5] 李喜; 任忠鸣; 余建波; 王晖; 邓康 . Bi-Mn合金片状初生MnBi相在强磁场中的凝固组织[J]. 金属学报, 2005, 41(7): 685-690 . [6] 侯登录; 姜恩永; 白海力; H.P.Kunkel; X.Z.Zhou; G.Williams . 烧结Sr1-xCaxRuO3系列的结构与磁性[J]. 金属学报, 2002, 38(7): 780-784 . [7] 何贤美; 童六牛 . 界面散射对Ni80Co20/M(M-Co,Cr,Ag)多层膜各向异性磁电阻的影响[J]. 金属学报, 2001, 37(5): 477-482 . [8] 马建新; 潘洪革; 朱云峰; 李寿权; 陈长聘 . 一种改善贮氢电极合金电化学性能的新方法[J]. 金属学报, 2001, 37(1): 57-60 . [9] 余晋岳; 魏福林 . 微型NiFe磁性薄膜元件中Neel畴壁极性的转变过程[J]. 金属学报, 2000, 36(4): 359-363 . [10] 王永忠;张志东;曾德长;阳宗全;汤洪;乔桂文. 关于铁磁性物质的自发磁化[J]. 金属学报, 1997, 33(9): 981-986. [11] 吴萍;姜恩永;王存达;白海力;刘裕光;王合英. [Co/Ti],[Co/Cu(Ni)]多层膜的结构与磁性[J]. 金属学报, 1997, 33(6): 625-630. [12] 王寅岗;陈长聘;王启东;唐宁;杨伏明. TbMn_(6-x)Co_xSn_6赝三元化合物的结构和磁性[J]. 金属学报, 1997, 33(5): 543-547. [13] 尹晓英;王寅岗;唐宁;杨伏明. Y_2Fe_(17-x)Mn_x的结构和磁性[J]. 金属学报, 1997, 33(5): 539-542. [14] 王治;何开元;张洛. Fe_(72.7)Cu_1Nb_2V_(1.8)Si_(13.5)B_9合金的热磁分析[J]. 金属学报, 1997, 33(12): 1289-1294. [15] 吴萍;姜恩永;刘裕光;王存达. Co/Ti非晶多层膜晶化过程中结构及磁性的变化[J]. 金属学报, 1996, 32(11): 1209-1214. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed