Please wait a minute...
金属学报  2007, Vol. 43 Issue (3): 307-310     
  论文 本期目录 | 过刊浏览 |
Al2O3和Cr过渡层对Ag膜光学性质及其附着力的影响
孙喜莲 范正修 邵建达
中国科学院上海光学精密机械研究所光学薄膜技术研发中心; 上海 201800
Effects of Al2O3 and Cr Interlayers on the Optical Property and Adhesion of Ag Film
引用本文:

孙喜莲; 范正修; 邵建达 . Al2O3和Cr过渡层对Ag膜光学性质及其附着力的影响[J]. 金属学报, 2007, 43(3): 307-310 .

全文: PDF(664 KB)  
摘要: 研究了在玻璃基底上镀制Al2O3和Cr过渡层对Ag膜反射率及附着力的影响. 分光光度计测试了Ag膜的反射率, 结果表明, 与Cr过渡层相比, Al2O3过渡层对Ag膜反射率 的降低相对较小; 而且, 随着Al2O3厚度的增加, Ag膜的反射率先增大后 减小. XRD与AES测试表明, 引入Al2O3或Cr可明显细化Ag晶粒, 减弱Ag膜 (111)织构; Al2O3作过渡层时, Al原子向Ag层中扩散显著; 而Cr作过渡层 时, 只有少量Cr原子扩散进入Ag层. 因此, Al2O3作过渡层能显著增强薄膜 与玻璃基体之间的附着力.
关键词 Ag膜Al2O3过渡层Cr过渡层    
Key words
收稿日期: 2006-03-16     
ZTFLH:  O484  
[1]Wu G F,Song x P,Yang C H,Jiang B,Sun Z Q.Funct Mater,2003;34:682 (吴桂芳,宋学萍.杨成浩,江兵,孙兆奇.功能材料,2003; 34:682)
[2]Wei Q Y,Yu S G.Precious Met,2001;22(2):5 (韦群燕,俞守耕.贵金属,2001;22(2):5)
[3]Xie Z W,Meng J L,Wang G Q.Vac Sci Technol,2001; ??21:203 (谢致薇.蒙继龙,王国庆.真空科学与技术,2001;21:203)
[4]Aoshima Y,Miyazaki M,Sato K,Akao Y,Takaki S, Adachi K.Jpn J Appl Phys,2000;39:4884
[5]Alford T L,Adams D,Laursen T,Manfred U B.Appl Phys Lett,1996;68:3251
[6]Xu X K,Tang Z S,Fan Z X,Shao J D.Opt Eng,2004; 43:971
[7]Tian M B,Liu D L.Handbook of Science and Technology of Thin Film.Beijing:China Machine Press,1991 (田民波,刘德令.薄膜科学与技术手册.北京:机械工业出版社,1991)
[1] 任师浩, 刘永利, 孟凡顺, 祁阳. 应变工程中Bi(111)薄膜的半导体-半金属转变及其机理[J]. 金属学报, 2022, 58(7): 911-920.
[2] 董彩虹, 刘永利, 祁阳. 厚度对Bi薄膜表面特性和电学性质的影响[J]. 金属学报, 2018, 54(6): 935-942.
[3] 陈育秋, 祖亚培, 宫骏, 孙超, 王晨. Al薄膜对玻璃纤维增强树脂基复合材料电磁性能的影响[J]. 金属学报, 2017, 53(11): 1511-1520.
[4] 孙丽娜, 谭俊, 巴德纯, 原培新. Er3+-Tm3+-Yb3+ 掺杂 Bi4Ti3O12 薄膜的上转换白色荧光和铁电性能*[J]. 金属学报, 2014, 50(1): 88-94.
[5] 刘志敏; 杜昊; 石南林; 闻立时 . 铝膜电导率尺寸效应对其微波性能的影响[J]. 金属学报, 2008, 44(9): 1099-1104 .
[6] 刘明霞; 胡永峰; 马飞; 徐可为 . α-W膜在单晶硅基片上的共格生长及其力电性能的膜厚效应[J]. 金属学报, 2008, 44(5): 631-635 .
[7] 童六牛; 李泰; 夏爱林; 胡锦莲; 李赞揆 . 磁性隧道结Fe/MgO/Fe(001)的磁性及界面电子结构[J]. 金属学报, 2007, 43(11): 1165-1170 .
[8] 张耀; 钟志源; 朱敏 . 脉冲激光沉积制备的HT-LiCoO2薄膜中Li离子表观扩散的研究[J]. 金属学报, 2007, 43(8): 818-822 .
[9] 张敏; 林国强; 董闯; 闻立时 . 脉冲偏压电弧离子镀室温沉积非晶TiO2薄膜[J]. 金属学报, 2007, 43(5): 509-514 .
[10] 赵文济; 孔明; 乌晓燕; 李戈扬 . TiN/Si3N4纳米多层膜硬度对Si3N4层厚敏感性的研究[J]. 金属学报, 2007, 43(2): 154-158 .
[11] 杨吉军; 马飞; 徐可为 . 多晶柱状Cu膜的表面粗化与织构[J]. 金属学报, 2006, 42(12): 1233-1237 .
[12] 王立锦; 张辉; 滕蛟; 朱逢吾 . Ta种子层对Ni65Co35薄膜微结构和磁性的影响[J]. 金属学报, 2006, 42(9): 979-982 .
[13] 于翔; 王成彪; 刘阳; 于德洋 . 中频对靶磁控溅射合成TiN/Ti多层膜[J]. 金属学报, 2006, 42(6): 662-666 .
[14] 李健; 朱洁 . 恒电流电沉积法制备Cu-In薄膜的研究[J]. 金属学报, 2006, 42(6): 667-672 .
[15] 赵阳; 王娟; 徐晓明; 张庆瑜 . 调制结构对TiN/TaN多层膜的生长行为及力学性能的影响[J]. 金属学报, 2006, 42(4): 389-393 .